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超宽输入电压范围的微型开关电源实例

时间:2023-06-27 理论教育 版权反馈
【摘要】:由LNK364P构成12V、250mA超宽输入电压范围的微型开关电源电路如图9-8所示。为提高电容器的耐压值,将两只耐压450V的电解电容器C1、C2串联使用,最高可承受900V的输入高压。R1、R2为均衡电阻,可以平衡C1、C2上的压降,避免其中一只电容器因压降过高而被击穿。需要指出,LNK364P的工作并不受StackFET电路结构的影响。高频变压器的谐振频率超过500kHz。但C5仍需保留,以便对输入电路起退耦作用。R1、R2、R4和R5应选用0.5W的电阻器。

超宽输入电压范围的微型开关电源实例

由LNK364P构成12V、250mA(3W)超宽输入电压范围的微型开关电源电路如图9-8所示。它采用StackFETTM(叠加场效应管)专有技术和反激式拓扑结构,能在极宽的输入范围内输出额定功率。交流输入电压可以是57~580V单相交流电,亦可采用三相四线制(A相、B相、C相和中线N)的交流电,并且即使在有一相缺电或未接上中线的情况下也能正常工作。输出为+12V,250mA。具有自动重启动、开环保护、过载保护和短路保护等功能。该电源适用于三相电能表等工业仪器仪表领域

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图9-8 由LNK364P构成12V、250mA(3W)超宽输入电压范围的微型开关电源电路

三相交流电分别经过VD1~VD8C1C2整流滤波,获得直流高压。RF1RF4均采用熔断电阻器。为提高电容器的耐压值,将两只耐压450V的电解电容器C1C2串联使用,最高可承受900V的输入高压。R1R2为均衡电阻,可以平衡C1C2上的压降,避免其中一只电容器因压降过高而被击穿。此外,在断电后这两只电阻还为电容器提供泄放回路。由L1C6构成EMI滤波器,R3为泄放电阻。

LNK364P内部集成了一只漏-源极击穿电压为700V的功率场效应管MOSFET。当最高交流输入电压UI(max)=580V时,高频变压器一次侧最高电压接近于1050V(包含一次侧感应电压UOR,亦称二次侧反射电压),远高于700V。为避免损坏内部MOSFET,必须在其漏极上再叠加一只高压MOSFET功率场效应管V,作为外部MOSFET。现采用一只IRFBC20型N沟道MOSFET,其主要参数为:漏-源极击穿电压U(BR)DS=600V,漏-源极通态电阻RDS(ON)=4.4Ω,最大漏极电流ID(max)=2.2A,最大漏极功耗PD(max)=50W。其工作原理是首先由LNK364P的漏极去驱动V的源极,再通过V的漏极驱动高频变压器的一次绕组。因为LNK364P的漏极电压被稳压管VDZ1~VDZ3限制在450V,所以叠加外部MOSFET之后的总最大峰值漏极电压就提升到450V+600V=1050V,可满足电路需要。这就是StackFET电路的工作原理。

R6R8的作用是给IRFBC20的栅极提供启动电压,R9(10Ω)为阻尼电阻,可防止产生高频自激振荡。稳压管VDZ4对IRFBC20的栅-源极电压起到保护作用。一次侧钳位电路由瞬态电压抑制器VDZ5(P6KE150A)、超快恢复二极管VD9(UF4007)和电阻R10构成,可避免由高频变压器漏感产生的尖峰电压叠加在外部MOSFET的漏极上,而使总的最大峰值漏极电压达到或超过1050V。

需要指出,LNK364P的工作并不受StackFET电路结构的影响。当内部MOSFET导通时,外部MOSFET也开通,把输入电压加到一次绕组。一旦一次绕组电流达到LNK364P的极限电流阈值,就把MOSFET关断。通过LNK364P内部的开/关控制器即可维持输出电压的稳定。(www.xing528.com)

设计要点:

(1)高频变压器采用EEL16型铁氧体磁心。一次绕组用ϕ0.13mm漆包线绕184匝。二次绕组采用ϕ0.29mm的漆包线绕30匝。在一次、二次绕组之间加屏蔽层。一次绕组的电感LP=3.5mH(允许有±10%的误差),最大漏感LP0=160μH。高频变压器的谐振频率超过500kHz。

(2)当中线N接通大地时,可省掉C3C4R4R5。但C5仍需保留,以便对输入电路起退耦作用。

(3)稳压管VDZ1~VDZ3可用一只P6KE540型瞬态电压抑制器来代替。若最低交流输入电压为100V,则C1C4的容量可减少到10μF。

(4)R1R2R4R5应选用0.5W的电阻器。

(5)为降低开关损耗,可在一次绕组的层间加几层绝缘胶带,以降低高频变压器的分布电容

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