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永磁体的磁化原理

时间:2023-06-28 理论教育 版权反馈
【摘要】:如图3-1所示,当外加磁化磁场H=0时,磁感应强度B=0,永磁体处于磁中性状态,其内部各个磁畴的自发磁化强度是杂乱取向的。图3-1 永磁体磁化曲线第2阶段,其斜率快速增大。从永磁体内部的磁畴变化来看,以上两个阶段的磁化过程是畴壁位移的磁化过程。至此,永磁体磁化至饱和,这时的磁场强度称为饱和磁化磁场强度,用Hs表示,对应的磁感应强度称为饱和磁感应强度,用Bs表示。

永磁体的磁化原理

永磁体从无磁性状态开始,受到一个从零起单调递增的磁化磁场的作用,磁感应强度磁场强度变化的曲线称为磁化曲线,如图3-1所示。

磁化曲线是表征永磁体特性的曲线。曲线的形状与永磁体的材料成分、加工方法、热处理方式、切割方向等因素有关。

如图3-1所示,当外加磁化磁场H=0时,磁感应强度B=0,永磁体处于磁中性状态,其内部各个磁畴的自发磁化强度是杂乱取向的。当H从0开始增加时,B随着H的增加而增加,磁化可以分为4个阶段。

第1阶段(曲线Oa)。磁场强度H取值为OHa范围内的任意值时,若将H减小到0,则B会按照原来的曲线(即aO曲线)返回到原点(O点),这段的磁化过程称为可逆磁化过程。

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图3-1 永磁体磁化曲线

第2阶段(曲线ab),其斜率快速增大。当外加的磁化磁场超过Ha后,如果将H减小,则BH的关系不会沿着原来的曲线(ba)返回出发点,这个阶段的磁化过程是不可逆的。从永磁体内部的磁畴变化来看,以上两个阶段的磁化过程是畴壁位移的磁化过程。在这一磁化过程中,相邻的两个自发磁化强度取向不同的磁畴处在外磁场中时,其中自发磁化强度取向与外磁场较为接近的一个在能量上是有利的,而取向相反的磁畴在能量上是不利的。因此,在外加磁化磁场的作用下,使得前一个磁畴的体积不断扩大,而后一个磁畴的体积不断减小。这两个磁畴体积大小的相对变化,是通过磁畴壁的位移运动来实现的,所以称为畴壁位移的磁化过程。第1阶段叫做畴壁位移的可逆部分,第2阶段叫做畴壁位移的不可逆部分。

第3阶段(曲线bc),该阶段斜率要比第2阶段小。在一般情况下,当畴壁位移磁化后,整个磁体的自发磁化强度大致上建立了同一方向的取向,接着为了使磁化进一步增强,永磁体中自发磁化强度就由原来的方向转向外磁场方向,这一过程通常称为旋转磁化过程或畴转过程。畴壁位移过程需要的外加磁化磁场较小,而要使磁畴转动过程发生,则需要较大的外加磁化磁场。

第4阶段(c点以上的曲线),曲线的斜率再次降低,B-H关系曲线成为一条直线。事实上,这种情况只有当磁化磁场增加到十分大时才会出现。这一阶段称为技术磁化饱和阶段。所谓磁化饱和,就是指永磁体在受到足够强的外加磁场的作用下,磁感应强度不再随着磁化磁场H的增加而增加,永磁体内所有磁矩全部转向外加磁化磁场的方向。至此,永磁体磁化至饱和,这时的磁场强度称为饱和磁化磁场强度,用Hs表示,对应的磁感应强度称为饱和磁感应强度,用Bs表示。

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