【摘要】：GaSe晶体最早于1972年被发现[4],为性能优异的中红外晶体材料,多用于中红外的差频及参量光输出,2002年,Y.J.Ding等[5]利用该晶体最早实现了太赫兹波的差频输出。这种晶体最大的特点就是在目前已知的各种太赫兹波差频晶体中,它的吸收系数较小。它在太赫兹波低频端的吸收系数比LiNbO3晶体低一个数量级,而在高频端则比它低数个数量级[6,7]。GaSe晶体在红外波段的色散方程为
GaSe晶体最早于1972年被发现[4],为性能优异的中红外晶体材料,多用于中红外的差频及参量光输出,2002年,Y.J.Ding等[5]利用该晶体最早实现了太赫兹波的差频输出。GaSe晶体为单轴晶体、层状结构,晶体容易沿(001)面发生劈裂,只能沿z向切割,因此在大多数应用中,把具有较高光学质量的(001)面作为入射面;具有大的双折射,可以在很宽的范围内满足相位匹配;具有高的抗损伤阈值,在1.064μm、10 ns时为30 MW/cm2;在近红外波段的吸收系数低(1.064μm时小于0.2 cm-1),在太赫兹波段的吸收系数也较低,在6.9 THz时存在横向光学声子振动造成的强吸收及强色散;大尺寸的晶体目前容易获得。这种晶体最大的特点就是在目前已知的各种太赫兹波差频晶体中,它的吸收系数较小。它在太赫兹波低频端的吸收系数比LiNbO3晶体低一个数量级,而在高频端则比它低数个数量级[6,7]。与其他高质量的非线性半导体晶体一样,这种晶体的价格也较为昂贵,而且由于其自身生长结构的原因,晶体容易沿(001)面发生劈裂,这就导致在非线性频率变换过程中无法对晶体实现某些相位匹配角度的切割,限制了这种晶体的使用。
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