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晶闸管的伏安特性分析

时间:2023-07-01 理论教育 版权反馈
【摘要】:晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图7-27所示。此后,晶闸管会发生永久性反向击穿。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,如图7-27的BC段。在晶闸管的内部正反馈作用的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致图7-27中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

晶闸管的伏安特性分析

晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图7-27所示。正向特性位于第一象限,反向特性位于第三象限。

1.反向特性

当门极G开路,阳极加上反向电压时(见图7-28a),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,同时J3结也击穿,电流迅速增加,如图7-27的特性曲线OR段开始弯曲,弯曲处的电压UOR称为“反向转折电压”。此后,晶闸管会发生永久性反向击穿。

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图7-28 阳极加反向、正向电压

a)阳极加反向电压 b)阳极加正向电压

2.正向特性(www.xing528.com)

当门极G开路,阳极A加上正向电压时(见图7-28b),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图7-27的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。

由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿后,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍有增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图7-27中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,如图7-27的BC段。

3.触发导通

在门极G上加入正向电压时(图7-29),因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(图7-29)的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致图7-27中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

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图7-29 阳极和门极均加正向电压

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