微波炉晶体管识别与检测方法探究

晶体管是微波炉的常用器件。用万用表检测晶体管时，对于中、小功率晶体管，可使用万用表（指针式）的R×100或R×1k挡。对于大功率晶体管，由于此类管子的PN结面积较大，其反向饱和电流（I_CBO、I_EBO、I_CEO）也必然增大，所以通常应使用R×10或R×1挡进行检测。

1.判别电极与管型

（1）判别基极与管型

对于一只没有技术资料的晶体管，要想判别出它们的三个电极，也可用万用表进行测试。将万用表置于电阻挡，红表笔任意接触晶体管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值。若测出阻值均为几百欧的低电阻，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP型；若测出阻值均为几十至上百千欧的高电阻，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN型。

（2）判别集电极和发射极

在判别出管型和基极b的基础上，可以再采用以下方法判别集电极c和发射极e：

方法一：将万用表置于电阻挡，对于PNP型晶体管，红表笔接基极b，黑表笔分别接触另外两个引脚，测出两个电阻值。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接的引脚为集电极；在阻值大的一次测量中，黑表笔所接的引脚为发射极。对于NPN型晶体管，将黑表笔固定接基极b，用红表笔接触其余两个引脚，测出两个电阻值。在阻值较小的一次测量中，红表笔所接的引脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，红表笔所接的引脚为发射极。

方法二：将万用表置于电阻挡，任意假定一个电极为集电极c，另一个电极为发射极e。以PNP型晶体管为例，将红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极（注意不能使b、c两极直接相碰），测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测出的电阻值相比较，阻值小的一次红表笔所接的电极为集电极。对于NPN型晶体管，具体操作方法与测量PNP型晶体管基本相同，但按正常接法，在阻值小的一次测量中，黑表笔所接的电极为集电极。

方法三：将万用表置于电阻挡，以测试NPN型晶体管为例。先使被测量的晶体管的基极悬空，万用表的红、黑表笔分别任接其余两引脚，此时指针应指在“无穷大”处。然后用手指同时按住基极与右边的引脚，若万用表指针向右偏转较明显，则表明右边的引脚为集电极c，左边的引脚为发射极e。如果万用表指针基本不摆动，再用手指同时捏住基极b与左边的引脚，若指针向右偏转较明显，则说明左边的引脚为集电极c，右边的引脚为发射极e。对于PNP型晶体管，具体操作方法与测量NPN型晶体管基本相同，但按正常的接法，发射极e接到黑表笔时，万用表指针的摆幅才会很明显。

2.判别硅晶体管与锗晶体管

（1）电阻法

一般来说，硅晶体管和锗晶体管的PN结正向电阻是不一样的，即硅晶体管的正向电阻大、锗晶体管的正向电阻小。利用这一特性，即可用万用表来判别一只晶体管是硅晶体管还是锗晶体管。

将万用表置于电阻挡，测量PNP型晶体管时，万用表的红表笔接基极，黑表笔接集电极或发射极；测量NPN型晶体管时，万用表的黑表笔接基极，红表笔接集电极或发射极。按上述方法接好后，如果万用表的表针指示在表盘的右端或靠近满刻度的位置上（即阻值较小），则被测晶体管是锗晶体管；如果万用表的表针在表盘的中间或偏右一点的位置上（即阻值较大），则被测晶体管是硅晶体管。

（2）电压法

锗晶体管和硅晶体管发射结的正向压降是不一样的，一般锗晶体管发射结的正向压降为0.1～0.3V，硅晶体管发射结的正向压降为0.6～0.7V。根据这一特点，即可用万用表对锗晶体管和硅晶体管进行判断。

将万用表置于直流电压2.5V挡，再按照图2-12所示连接电路（图2-12中R为15kΩ限流电阻、E为1.5V电源），此时万用表显示的数值便是被测晶体管的正向电压。如果测出的电压值为0.2V，则说明该晶体管为锗晶体管，如果测出的电压值为0.7V左右，则为硅晶体管。

图2-12 判别硅晶体管与锗晶体管(www.xing528.com)

a）测量PNP型晶体管 b）测量NPN型晶体管

3.测量极间电阻

测量晶体管极间电阻时，万用表置于电阻挡。在不知管子极性的情况下，将万用表红表笔与任意一只引脚相碰，黑表笔接触其他两只引脚，如果测得的阻值较小，交换表笔后测量的阻值均很大，则说明被测晶体管中的一个PN结是好的。反之，若测得阻值很大，交换表笔重新测试后阻值较小，也说明该晶体管中的一个PN结是好的。需指出的是，如果两次测得阻值均很大，则可能是被测PN结开路损坏或测量的是两个PN结，这是因为正常晶体管的集电结与发射结之间的正、反向电阻值都较大。对于此类情况，应及时将其中一支表笔与晶体管的第三引脚相碰，然后重复上述过程。在测试好第一个PN结后，将万用表红表笔接任意一只引脚，用黑表笔分别接触另外两个引脚，如果测得阻值较小，交换表笔后测得阻值很大，则说明被测晶体管的第二个PN结也是正常的。一般来说，两个PN结的正、反向电阻值相差越大，说明此晶体管的性能越好。

对于已知型号引脚排列的晶体管，可按照红、黑表笔的不同接法进行测试。对于PNP型晶体管，其测试方法如图2-13所示；对于NPN型晶体管，其测试方法如图2-14所示。可以看出，发射结和集电结的正向电阻值比较低，而其他接法测得的电阻值均很高。

4.测量集电极反向饱和电流I_CBO

以测量PNP型晶体管为例，将万用表置于R×1k挡，红表笔接集电极、黑表笔接基极，测出集电结的反向电阻值（正常时为几百kΩ或无穷大）。此值越大，说明集电极反向饱和电流I_CBO就越小。I_CBO大的晶体管，其反向漏电流大，工作不稳定。测试NPN型晶体管的测试方法与上述方法相同，只是表笔应反接。

5.测量电流放大系数β（或h_FE）

用指针式万用表检测：将万用表置于直流50mA挡，然后将晶体管接入图2-15所示电

图2-13 用万用表测量PNP型晶体管的极间电阻

图2-14 用万用表测量NPN型晶体管的极间电阻

图2-15 测量晶体管的直流放大系数

a）测量PNP型晶体管 b）测量NPN型晶体管

路（E为1.5V电源、R为30kΩ电阻），根据此时万用表的指示值I，即可估计出被测晶体管的直流放大系数β，即β≈20I（β值与使用的电源电压有一定关系，通常电源电压越高，测得的β值也越大）。利用此电路还可测量晶体管的I_CBO和I_CEO，方法是将晶体管的c、b或e、c极接入相应电路，万用表指示的数值便是I_CBO或I_CEO值（为了使读数精确一些，可将万用表拨至直流1mA或50μA挡进行测量）。