ARMCortexM4固件编程教程：写闪存例程

本小节将以TI的例程为例来介绍Flash闪存的固件库使用方法。

1）闪存程序。

2）创建write_flash工程。

3）编译write_flash工程生成可执行的.out格式文件。

4）在LaunchPad（EK-TM4C123GXL）板上对程序进行调试。

①将编译生成的.Out文件导入LaunchPad板中。

②在22行处设置一个断点，然后单步执行程序，当程序指针位于25行时的运行结果如图10-3所示。

图10-3　清零GPIO_DATA寄存器

从图10-3中可以看到，如果GPIO_DATA寄存器的值不为0，当程序执行完GPIOPin-Write（）后，该寄存器将被清零。因此，观察到的结果都符合程序所表达的含义。(www.xing528.com)

③在29行FlashErase（0x10000）处设置一个断点，当单步执行完该语句后的结果如图10-4所示。

图10-4　擦除地址0x10000处的数据

从图10-4可以看到，当执行完该条语句后的确擦除了地址为0x10000处的数据。

然后继续单步执行，当执行完FlashProgram（）语句后的结果如图10-5所示。

图10-5　向地址0x10000写入的数据

从图10-5可以看到，写入的数据和从闪存中读出的数据完全相同，验证了程序功能正确。

5）在LaunchPad（EK-TM4C123GXL）板上对程序进行测试。将编译生成的.out文件下载到LaunchPad板中，让程序全速在LaunchPad板中运行。从地址0x10000和0x10004读出的闪存数据和程序中待写入的数据相同（见图10-5）。这时打开PuTTY“串口助手”，其测试结果如图10-6所示。

图10-6　待写入和从闪存中读回数据的测试结果

从图10-6中可以看到写入到闪存中的数据和读出的数据完全相同，验证了write_flash.c程序的正确性。