《计算机组装维护（第2版）教程》：内存性能指标分析

第二节　内存的性能指标

内存作为电脑的主要部件在整机的性能表现中起着举足轻重的作用，当CPU主频提升到一定程度，并同时执行多任务操作的时候，大内存的优势就表现得很突出。所以了解内存的性能指标对用户来说至关重要。

1.数据带宽

所谓数据带宽就是内存的数据传输速度，它是衡量内存性能的重要标准。通常情况下，PC100的SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值传输速度可以达到800MB/s。工作在133MHz下的PC133内存，其峰值传输速度已经达到了1.06GB/s，这一速度比PC100内存提高了200MB/s，在实际使用中，其性能的提高是很明显的。对于DDR内存而言，由于在同一个时钟的上升沿和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，它的实际传输速度可以达到2.1GB/s，也就是普通SDRAM内存工作在266MHz下所拥有的带宽。此外，双通道PC800的Rambus DRAM内存其数据传输带宽也达到了4.2GB/s的速度。

2.tCK（时钟周期）

tCK是“Clock Cycle Time”的缩写，即内存时钟周期。它表示内存可以运行的最大工作频率，数据越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工作频率是倒数关系，即tCK=1/F，其中F为工作时的外频，例如，系统在100MHz外频工作时，tCK=10ns。

3.tAC（存取时间）(www.xing528.com)

tAC是Access Time from CLK的缩写，即存取时间，以ns（纳秒）为单位。与时钟周期不同的是，tAC仅代表访问数据所需的时间。tAC与tCK的概念是截然不同的，如一块标有“-7J”字样的内存芯片并不是说它的时钟周期是7ns，而是说它的存取时间是7ns，并不能工作在133MHz频率下。存取时间越短，则该内存的速度越快。

4.CL（CAS延迟时间）

CL是CAS Latency的缩写，即CAS延迟时间。它也是衡量内存一个重要指标，是内存纵向地址脉冲的反应时间。目前PC100 SDRAM的CL有2和3，也就是说其读取数据的等待时间可以是两个或三个时钟周期。在同频率下CL为2的内存比CL为3的快。因此，降低CAS的周期有利于加快内存在同一频率下的工作速度。

5.奇偶校验

为检验内存在存取过程中的准确性，每8位容量配备1位作为奇偶校验位，配合主板的奇偶校验电路对存取的数据进行正确校验，这需要在内存条上额外加装一块芯片。而在实际使用中，有无奇偶校验位对系统性能并没有什么影响，所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。