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纳米构建:薄膜形貌与结构表征

时间:2023-06-25 理论教育 版权反馈
【摘要】:图5-33样品表面及EDS能谱图A0;A1;A2表5-6样品的面扫描元素分布图随后对薄膜的横截面进行了观察。样品表面粗糙度的变化,表明随着退火的进行,薄膜内部结构发生了变化。图5-35退火前后薄膜表面的形貌图A0;A1;A2为了便于后文比较分析,对样品基本参数进行了整理,见表5-7。由于XRD谱图中A1和A2中Sb2Te3峰大致相当,为了便于比较,认为两者中Sb2Te3相结晶已趋近完全。XRD谱图与XPS谱图结果一致。

纳米构建:薄膜形貌与结构表征

首先对薄膜的表面和成分进行了检测。扫描电镜无法有效分辨出形貌的细节,这与薄膜表面平坦度有关。随机选取样品表面的区域进行EDS面扫描,如图5-33所示,薄膜成分分布均匀。对每个样品随机取3个区域进行能谱分析,元素的原子含量如表5-6所示。通过取平均原子比,样品成分中Te/Sb原子含量比均约为1.8,表明在退火过程中,原子比例并未发生明显变化,即本退火处理不影响薄膜的成分。

图5-33 样品表面及EDS能谱图

(a)A0;(b)A1;(c)A2

表5-6 样品的面扫描元素分布图

随后对薄膜的横截面进行了观察。通过结合台阶仪和扫描电镜,确定样品A0、A1和A2样品的厚度分别为85 nm、80 nm和75 nm,样品的横截面如图5-34所示。一方面,因为初始态薄膜存在一定的孔隙度,随着退火时间的增加,薄膜孔隙度减小,薄膜变得致密,其厚度减小;另一方面,此薄膜厚度的减小也和应力的释放、材料的结晶以及原子的重新排列有关。此外,由横截面也可以看出,薄膜结构致密,但是粗糙度有所区别,从一定程度上反映了内部结构存在一定差异。

图5-34 薄膜截面SEM图

(a)A0;(b)A1;(c)A2

由薄膜的横截面初步观测其粗糙度有所区别,为了进一步证实这一点,使用AFM对薄膜的表面进行了表征,观察区域为2.5μm×2.5μm,如图5-35所示。样品A0、A1和A2表面均方根粗糙度分别为0.533 nm、0.640 nm和0.582 nm。薄膜表面粗糙度的不同,从一定程度上反映了其内部结构的区别。同时,薄膜表面粗糙度不同,在薄膜表面的电子-声子传输也相应会存在差异。样品表面粗糙度的变化,表明随着退火的进行,薄膜内部结构发生了变化。值得注意的是,样品A0、A1到A2的粗糙度先增加后减小,这个趋势与后文测试的性能趋势密切相关。

图5-35 退火前后薄膜表面的形貌图

(a)A0;(b)A1;(c)A2

为了便于后文比较分析,对样品基本参数进行了整理,见表5-7。(www.xing528.com)

表5-7 磁控共溅射Te/Sb2Te3异质结基本参数

通过XRD对Te/Sb2Te3异质结薄膜在退火处理中结构的变化进行了鉴定,结果如图5-36所示。

图5-36 样品XRD谱图

(a)A0、A1和A2;(b)高斯拟合曲线

薄膜中A0的峰谱可以确认为Te相(JCPDS卡片号85-0561,空间群P3121),而A1和A2可以确认为Sb2Te3相(JCPDS卡片号71-0393,空间群R3-m)。在未退火的样品A0中,薄膜主要为非晶的Sb2Te3峰和比较弱的Te峰,磁控溅射的特点是导致非晶Sb2Te3峰产生的主要原因。随着退火时间的增加,原子重新排列和结晶,Sb2Te3以(00l)取向为主,并伴有(015)取向峰。非晶态在向晶态转变的过程中,最明显的特征便是峰的锐化。而这个XRD谱图中出现了一个有趣的现象,在65°~75°之间的峰先变平坦然后再锐化,且向右移动。通过与PDF卡片对比,最终确定在样品A0中此范围内的峰为Sb2Te3峰,而在样品A1和A2中此范围内的峰为Te(211)峰。另一个值得注意的现象是,此过程的发生伴随着Sb2Te3的优先结晶,而Te的再结晶和长大则相对滞后。相对于样品A2,A1中的峰Te(211)比较平坦,意味着原子排列的短程有序,其晶粒更为细小。

晶粒大小可以通过谢乐公式来计算,A1和A2中Te(211)晶粒大小分别为2.8 nm和3.6 nm。此外,XRD谱图也能在一定程度上反映材料内部结构应变的大小。随着峰强度减弱,峰宽度增加,应变增加。以变化尤其明显的Te(211)峰作为比较,A1和A2在此处的应变分别为2.1%和1.7%。

由于XRD谱图中A1和A2中Sb2Te3峰大致相当,为了便于比较,认为两者中Sb2Te3相结晶已趋近完全。由于A1样品中Te纳米颗粒小于A2中Te纳米颗粒,在Te含量相同的条件下,A1中Sb2Te3和Te相之间的界面密度更大,在Sb2Te3和Te界面处晶格会弯曲,产生晶格应变。由此可以初步判断样品A1中的晶格应变大于A2,与此处XRD计算的应变结果相吻合。由于在界面处声子受到强烈散射,能有效降低晶格热导率,而A1中纳米相与主相之间界面密度大,相应的晶格应变大,因此可预测其晶格热导率小于A2的晶格热导率[169]。后文性能测试结果印证了这一推测。

此外,使用XPS对薄膜表面元素的化学态进行了表征,结果如图5-37所示。图5-37(a)中A0的峰中心约为573.1 eV和583.4 eV,符合单质Te中0价态的峰。随着退火的进行,峰中心向低能量处移动,体现了Te向-2价态的偏移[80]。与之相对应的XRD谱图中,A0中Sb2Te3主要为非晶,Te峰比较明显。随着退火的进行,Sb2Te3结晶,故-2价的Te在XPS谱图中表现得更为明显。XRD谱图与XPS谱图结果一致。图5-37(b)中峰中心约为528.8 eV和538.2 eV,对应为Sb2Te3中+3价的Sb元素。XPS谱图中出现了Sb和Te元素氧化态的峰,而XRD谱图中并没有相关元素氧化态的峰出现。这是因为在实验测试过程中,优先进行了XRD谱图和拉曼光谱测试,而为了进一步证明Te的存在而进行了XPS补充实验,由于样品放置在时间过长,导致表面出现了氧化态。由于XPS是最后的补充实验,因此并不影响后文性能测试的相关参数。

图5-37 样品XPS谱图

(a)Te 3d轨道;(b)Sb 3d轨道

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