SITH器件具有电流放大系数大，栅极电容小的特点。一般可以把它分为常开型（大功率型）和常闭型（高速型）两种。SITH一般是在SIT（Static Induction Transistor，静电感应晶体管）基础上制成的，有两种方式：一种是将两侧均做成SIT；另一种是将左侧或右侧中的任一侧制成SIT，再将其与传统的BJT（Bipolar Junction Transistor双极结型晶体管）相结合，如图3-137所示。
图3-137 SITH结构图
在结构上，SITH可以有平面栅型（见图3-138）和隐埋栅型（见图3-139）。采用平面栅结构，因为其门极电阻比隐埋栅型的要低，可以使SITH具有驱动功率小和电流密度大的特点。其特点是栅极做在硅衬底的表面，工艺步骤简单而且产量高。而隐埋栅结构，就是将P＋-N--N＋二极管的N-层内埋入了起栅极作用的P＋层。可以使栅极反向电压和正向阻断电压均实现高耐压，有利于制作高耐压和大功率的器件。
图3-138 平面栅型结构SITH
图3-139 隐埋栅型结构SITH(www.xing528.com)
器件的结构决定了其性能。例如采用透明阳极结构（见图3-140），透明阳极有效利用了外延过程中在P-阳极区形成的轻掺杂N-层，在该层上进行P＋重掺杂，为正向导通过程提供空穴注入，从而实现电导调制，降低通态压降，有效增大阻断电压等。同时，由于透明阳极能起到“电荷漏”的作用，加快了关断过程积累电荷的抽取，缩短关断时间，降低关断损耗。
对隐埋栅型SITH，通过改变栅极的间距也可以改善器件的性能。随着栅极间距的减少，正向阻断电压增益G（后面章节介绍）增加，使器件从常闭型向常开型转变。研究表明，正向压降几乎与G无关，然而最大栅极关断电流随G增大而增大，另外，开关速度将在某一个确定的G值下得到最优化。
图3-141是SITH的等效电路和电气符号示意图。
图3-140 透明阳极结构
图3-141 SITH等效电路及电气符号
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