实例分析2：结果与讨论

让我们阅读一下附录一科技论文实例1［4］发表在国际会议上的论文，由于篇幅的限制，结果和讨论部分在同一个主标题下。

（续表）

下面我们具体地分析作者在结果和讨论部分每个句子所表述的内容及其目的：

1低温疲劳铝的不少晶粒具有与室温疲劳铜非常相似的基体结构。作者介绍了Al低温疲劳结果1，位错基体结构，并指出其与室温疲劳Cu晶体的相似性。

2与铜相比较，位错偶极堆垛之间有许多小位错环，位错密集堆垛的体积占比也比较小。作者指出Al的基体结构与Cu中的差别。

3一些位错环可能是由点缺陷凝聚而成，因为Ceresara（1969）证实了78 K下疲劳的Al中产生的点缺陷在等时退火至室温时有很高的活性。作者运用文献结果解释了差别的原因。

4—5在另一些晶粒中观察到与铜中类似的驻留滑移带位错梯子结构（Fig.2）。其位错通道中有大量非基位错，而图中心显示了残存的基体结构。作者介绍Al低温疲劳结果2：位错墙梯子结构。(www.xing528.com)

6—7这种不完整的位错梯子结构的形成，很可能是由于与单滑移Cu作比较晶粒中存在大量次滑移的原因。我们也曾在室温疲劳的Cu中靠近表面压痕附近次位错增强处观察到类似现象（Abdur-Razaq and Charsley，未发表）。作者指出位错墙梯子结构与铜中有差别的原因，并举出旁证。

8 Al中位错墙间距约为2.8μm，是同温度条件下疲劳的Cu中的4倍（Basinski et al 1980）。作者进一步介绍论文的重要结果3，并与文献中报道的同温下疲劳的Cu作比较。

9—16在很多晶粒中观察到大面积的｛100｝位错墙，如Fig.3所示。……（此处省略了详细描述｛100｝位错墙的分裂现象及其位错通道中位错成分的10—15句。）这些位错墙的间隔也远大于Cu中的位错墙，不过（文献中）尚未有低温疲劳Cu中｛100｝位错墙间距的测定。作者进一步详细介绍论文重要结果4，并指出尚缺相应的Cu中结果作比较。

17—20 Fig.5展示了近似圆形的位错堆的阵列。这种沿〈110〉方向排列的“晶格状”位错组态从未在任何其他疲劳后的fcc金属中报道过。通道中的位错看来是活动的，并且与晶体表面的挤出相关，扫描电镜观察到的晶体表面的挤出沿相同的方向。位错堆中发现有至少四种不同的伯格斯矢量。作者介绍论文的全新结果5：在其他fcc金属中未见报道过的〈110〉方向排列的“晶格状”位错组态。

21—22结论是，77 K下疲劳的Al与室温或低温下疲劳的Cu在位错组态上有许多相似之处，但是在结构的细节和结构的尺寸上却有许多不同之处。部分差别与Al中更易发生的次滑移和不同的层错能有关。作者给出本论文简明的结论。

由以上的逐句理解和分析我们可以看到，在“Results and Discussion”主标题下，作者始终把自己在论文的引言中提出的“纯铝室温疲劳不形成规则的位错结构的问题，可能是由于室温对于铝来说温度相对过高的原因，有必要研究纯铝在低温条件下疲劳后所形成的位错结构”这一指导思想（见4.1.2节）贯穿于整个结果和讨论部分。在叙述每一个Al在低温条件下疲劳的结果后，作者都立即对该结果进行了讨论，把Al的结果与已发表文献中的常温或低温下疲劳的Cu的研究结果作比较；对所发现的相互间的差异运用文献进行分析，并指出可能的原因；也强调了本研究全新的铝低温疲劳研究结果在整个疲劳微观机制研究领域的意义。虽然论文并未列出结论的主标题，但在结果和讨论的最后一段以“In conclusion”这个短语明确地引出了结论。简明的结论再次回顾了论文的思想，总结指出77 K下疲劳的Al与室温或低温下疲劳的Cu在位错组态上的相似和不同之处，并指出了位错结构部分不同之处的原因所在。