英飞凌：从半导体新秀到技术创新领导者

德国集成电路产业的典型特点是，围绕德国的汽车工业、机械制造、化学等优势领域的企业提供产品或服务，这也是德国集成电路发展转型的基本背景。在德国集成电路行业转型中，英飞凌是典型。1999年4月1日，英飞凌科技由西门子半导体部门分拆而来。作为德国西门子的原半导体部门，英飞凌曾是存储芯片的重要厂商。1996年，西门子的半导体部门，与中国台湾的茂矽电子合资，在新竹园区成立茂德电子，建设8英寸晶圆厂，技术由西门子提供。从西门子分拆出来后，英飞凌继承了西门子在半导体领域的3万多项专利，一时规模仅次于三星、镁光。2001年，在DRAM芯片不景气的行业背景下，茂矽电子因巨额贷款而质押了大量的茂德股票，引发了其与英飞凌的矛盾。次年，英飞凌终止对茂矽的技术授权，停止采购茂德的晶圆，转而与南亚科技合作组建华亚半导体，建设12英寸晶圆厂。不过，由于存储芯片价格下跌、新厂建设投资巨大，英飞凌剥离出的奇梦达后来破产，被浪潮集团收购，英飞凌自此退出了DRAM业务。

在退出动态随机存取存储器业务后，英飞凌将重心转向高能效、移动性和安全性的车用半导体、功率半导体、芯片卡和安全应用。英飞凌在嵌入式控制等方面具有独特的技术优势，其产品以高可靠性著称。2015年，英飞凌收购电源管理技术行业的领先供应商―美国国际整流器公司，增强了其在电源管理系统节能技术领域的实力。

对于芯片的下一步发展，英飞凌有其自身的独特理解。英飞凌首席执行官莱茵哈德·普罗斯（Reinhard Ploss）曾指出：“从28纳米向20纳米过渡的时候，我们第一次遇到了晶体管成本上升的情况。而对于一个商业公司领导人来说，必须去做利润的考量。”“摩尔定律正在走向终点，需要从整个系统优化的角度来考虑，从而克服现有的技术挑战，实现进一步的增值……当工艺节点走到商业极限的时候，我们就需要一个突破性创新来改变这个局面……引入氮化镓可以显著减少功耗并实现功率密度的飞跃，而碳化硅和氮化镓都可以帮助实现高性能等。”(www.xing528.com)

在英飞凌看来，虽然半导体制造技术还没有走到物理极限，芯片尺寸还可以进一步缩小，但已经到了商业极限。从技术节点上看，直到28纳米节点前晶体管成本一直沿摩尔定律的路径不断下降，但是在20纳米节点时第一次出现了成本反转：由于极紫外光刻技术的延迟实现，原本期待在22纳米节点就引入极紫外光刻技术的制造商不得不采取备选方案。但是，辅助的多重图形曝光技术等增加了掩膜工艺次数，导致芯片制造成本大幅度增加、工艺循环周期延长。同时，推进过程穿孔、光刻、隧穿、散热等方面都出现了技术瓶颈。