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基于陶瓷纳米颗粒的介电复合材料研究

时间:2023-06-18 理论教育 版权反馈
【摘要】:一般而言,陶瓷颗粒的正方性随颗粒尺寸的减小而减小,介电常数也随之减小。Cho等人[14]分别用平均粒度在916nm和60nm的颗粒分别制备了BaTiO3/环氧树脂复合材料嵌入式电容器薄膜。但若是采用双峰粉末,则细纳米颗粒通过最大化组装密度和移除介电薄膜中的空隙和微孔,能有效地提高k值。通过这两种不同尺寸的BaTiO3粉末所制备的ECF,在频率为100kHz时介电常数约为90。

基于陶瓷纳米颗粒的介电复合材料研究

在过去的十年里,研究人员付出了巨大的努力来开发陶瓷-聚合物复合材料(0-3号复合材料),但是所用的陶瓷填料颗粒大多数是微米级的。尽管需要填料颗粒的尺寸较小,以获得薄的介电薄膜来增加电容密度,但是极其细小的陶瓷纳米颗粒则可能导致晶体结构从正方晶(tetragonal)改为立方晶(cubic)或赝立方晶(pseudocubic),使得介电常数变低。一般而言,陶瓷颗粒的正方性(tetragonality)随颗粒尺寸的减小而减小,介电常数也随之减小。Uchino等人[27]和Leonard与Safari[28]发现,BaTiO3粉末的尺寸降至约100nm或60~70nm时,它的正方性完全消失。Cho等人[14]分别用平均粒度在916nm(P1)和60nm(P2)的颗粒分别制备了BaTiO3/环氧树脂复合材料嵌入式电容器薄膜(Embedded Capacitor Film,ECF)。结果发现,用P1制得的ECF的k值比用P2制得的ECF的k值高。因此,用单峰粉末制备高k值的ECF时,粗颗粒比细颗粒更有用。但若是采用双峰粉末,则细纳米颗粒通过最大化组装密度和移除介电薄膜中的空隙和微孔,能有效地提高k值。通过这两种不同尺寸的BaTiO3粉末所制备的ECF,在频率为100kHz时介电常数约为90。(www.xing528.com)

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