永磁体串联中磁通的增加与磁导率和导磁面积有关

笔者用4块14mm×14mm×50mm的矩形永磁体N39 SH做如下实验，这4块永磁体材料、制造工艺相同，每块永磁体磁极表面的磁感应强度为B_m=3910Gs。将两块永磁体直接串联，测得磁极表面的磁感应强度为4920Gs，比单块永磁体增加了1010Gs，增加了25.83%；将3块永磁体直接串联，测得磁面的磁感应强度为5340Gs，比单块永磁体增加了1430Gs，增加了36.57%；将4块永磁体直接串联，测得极面的磁感应强度为5500Gs，比单个永磁体增加了1590Gs，增加了40.66%。

笔者用Q195钢做14mm×14mm×50mm的两块磁导体与两块14mm×14mm×50mm的永磁体组成串联磁路并形成0.8～1.0气隙，永磁体磁极直接面向气隙，实测气隙磁密为4700Gs，比单个永磁体高790Gs，增加了20.2%。

经典理论认为，永磁体串联时磁势增加而磁通不变，这正像电池串联电压增加而电流不变一样。笔者经多次永磁体串联实验和研究认为，经典理论对永磁体串联给定的磁势增加而磁通不变的结论是欠妥的。根据(www.xing528.com)

当S一定时，磁感应强度B_m增加时，磁通Φ也增加。实验的结果已经充分地证明了永磁体串联磁通增加，磁通增加的大小也与构成磁路的磁导体的磁导率、导磁面积、磁路的长短等因素有关，永磁体串联使磁感应强度增加，使永磁体的磁通增加，这已为实验所证明。永磁体串联是提高磁感应强度的方法之一。