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二极管特性和参数详解

时间:2023-06-21 理论教育 版权反馈
【摘要】:不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管为1μA到几十微安,锗管则可高达数百微安。反向击穿电压UB 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。反向峰值电压URM 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。

二极管特性和参数详解

1.二极管的主要特性

二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图2-2所示。

(1)正向特性 当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1V,硅管小于0.5V),管子不导通,处于“截止”状态,在正向电压超过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧增加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5~0.7V,锗管为0.1~0.3V。

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图2-2 二极管的伏安特性曲线

(2)反向特性 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增大时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线Ⅱ段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管为1μA到几十微安,锗管则可高达数百微安。另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。

(3)击穿特性 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线Ⅲ)。这时的反向电压称为反向击穿电压。不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1V到几百伏,甚至高达数千伏。

(4)频率特性 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路,导致二极管失去单向导电性,不能工作。PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。

2.二极管的主要参数(www.xing528.com)

(1)正向电流IF额定功率下允许通过二极管的电流值。

(2)正向电压降UF 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。

(3)最大整流电流(平均值)IOM半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。

(4)反向击穿电压UB 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。

(5)反向峰值电压URM 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。

(6)反向电流IR 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。

(7)结电容C 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。

(8)最高工作频率fm 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

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