在执行以上流程后，通过电子束蒸发淀积Ti／Au（20／300nm）PAD，然后剥离。最终，制备出的器件的光学照片如图5.20所示，栅长Lg=2μm，栅宽W=2×30μm，源漏间距LSD=7μm。
图5.20 制备出器件的光学照片
图5.21是InAs／AlSb HEMT 器件测试的输出特性曲线，从图中看到器件是有栅控能力的，但是从图中看到栅极上施加的电压VDS从0V 开始扫描，以-0.2V 的步进在变化，当栅极电压VGS到-1.4V 时，观察到器件的沟道输出电流IDS是125mA／mm 依然很大，之后栅极继续向更负的电压施加，器件的输出电流和VGS=-1.4V 曲线几乎重合，这说明器件不会随着栅极电压的变化而发生关断，推测可能的原因是器件中存在有平行沟道，使得器件中电子存在亚沟道中，当栅极电压向负电压变化时，器件中总有电子存在，所以器件不能关断。当VGS是-0.2V，漏源电压VDS 为0.3V 时，器件的输出电路IDS是385mA／mm，这个输出电流与栅长有直接的关系，当栅长减小时，沟道的导通电阻会减小，则这个值会增大。图5.22测试了InAs／AlSb HEMT 器件的跨导，当VGS 是-1.1V，器件跨导峰值是60mS／mm，这个值偏小，说明器件的栅控能力有待提高。
图5.21 InAs／AlSb HEMT 器件的输出特性曲线(www.xing528.com)
图5.23测试了器件的栅极漏电流，从图中可以看到栅极漏电流IG比输出电流IDS的值小很多，说明器件的沟道没有被损坏。但是栅极漏电流是比较大的，一般器件的漏电流在10-8以下，分析原因主要是由于InAs是窄禁带宽度材料，容易发生沟道碰撞离化效应，会在沟道中产生电子空穴对，而部分空穴有可能隧穿过势垒，产生栅极漏电流。同时与InAlAs材料的表面状况也有很大的关系，比如表面粗糙度等。栅极漏电流是InAs／AlSb HEMT 器件的重要的参数，如何减小栅极漏电提高器件性能成为重要的研究课题，最直接的方法是在栅金属和InAlAs材料之间加入high-k介质材料，这样制造出绝缘栅的InAs／AlSb MIS-HEMT，这种器件的栅极漏电流就会大幅减小，器件的整体直流和频率特性得到很大提高。
图5.22 InAs／AlSb HEMT 器件跨导
图5.23 肖特基栅InAs／AlSb HEMT 器件漏电流
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