HDI技术在EMC方面的优势

HDI的EMC优势包括：

1）焊盘中通孔降低了去耦电感，并且提升了去耦合谐振频率。

2）线条越短，变成有效意外天线的频率也就越高。

3）较短的线条需要作为匹配传输线处理的可能也就越小。

4）在较高频率上，具有较小的PCB谐振。

5）HDI 0V参考面不像THP PCB那样具有大量的钻孔，所以它们的阻抗也较低（因此具有较低的PCB发射和较好的抗扰度）。它们提供更为稳定的返回通路电感，从而改善了传输线线条的Z₀控制。它们还可以从镜像面效应获得更多的得益，并且提供在一个PCB的顶部和底部电路之间的较好屏蔽（较低的串扰）。

上列的每一条都对现代新型亚微米IC有着重大价值。特别是在使用网格焊球阵列（BGA）器件的场合。而当使用THP技术的PCB时，会导致在器件周围存在大量的钻孔。而为了获得良好的EMC和SI，这些位置上却都要求具有最大可能的0V参考面和电源参考面。

HDI技术的使用，又使得选用现代小型IC封装类型更加容易，诸如：(www.xing528.com)

1）缩小型或微型化BGA；

2）直接芯片安装（DCA）；

3）反转芯片封装（FCOB）；

4）芯片缩小封装（CSP）；

5）聚酰亚胺带直接搭接（TAB）。

这些较小的IC使我们可以构成更小的PCB，从而获得极好的SI和EMC性能。这不仅是因为它们较薄的封装使IC更加靠近PCB中的0V参考面，使得镜像面效应更为有效。同时，较为短小的搭接导线和它们的插座框架作为一个意外天线在频率低于它们的第一个谐振频率时也不会那么有效。况且，它们的第一次谐振频率出现在较高的频率上，因此这些器件本身倾向于具有较低的发射。

然而伴随着这些体积非常小的器件使用所出现的一个问题是，它们会形成并允许更高和更为快速的开关边沿以及频率很高的噪声，并进入PCB的电源分配和信号线条中，从而大大恶化了发射电平（使发射大为增加）。但是一般地说，在尽可能条件下采用本书中所推荐的技术，技巧和工艺的话，它们所形成的EMC性能都会比普通较大体积的器件来得好。