区别详解：固定ROM和PROM的区别

1.固定ROM的原理

固定ROM中的信息由生产厂家固化后用户是无法改写的。如图7.2.1所示是用NMOS管集成的固定ROM电路，其中与VDD连接的N管是内阻较大的负载管，接通电源后负载管总是保持导通状态。在字线和位线交点处连接一个N管表示存储1，否则表示存储0。例如，在片选有效（＝0）的情况下，当A1A0＝10时，经地址译码器译码后字线W2为高电平，使W2连接的两个N管导通，则前两位位线为低电平，而后两位位线与VDD等电位，经输出缓冲器取非后，输出为D3D2D1D0＝1100。

由（3.2.6）式可知字线Wi＝mi（i＝0，1，2，3），D3的逻辑状态只与字线W0和W2有关，因W0和W2不可能同时高电平有效，故位线D3＝W0＋W2。同理可得D2＝W2，D1＝W1，D0＝W0＋W3。即

式（7.2.1）是逻辑函数标准式1，它说明ROM电路可构成任意逻辑函数。ROM电路由两个基本逻辑阵列构成，一个是固定的与阵列产生地址译码器，另一个是可变的或阵列形成存储字。

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图7.2.1　4×4 bit的固定ROM

图7.2.2　PROM的存储单元结构

2.PROM的原理

PROM（Programmable ROM）给用户提供了一次性编程的机会，以便用户根据自己的意愿固化信息。PROM电路的基本结构与固定ROM类似，只是在所有的字线和位线交点处按图7.2.2集成，即厂家提供给用户的是各个存储单元全为1的芯片。其中的熔丝是通过激光光刻技术实现的，其成分是熔点很低的镍铬合金。编程时首先输入地址码，找到要写入0的存储单元，将电源电压提高到25 V，同时在编程单元的位线上加编程脉冲，这时有较大电流流过熔丝，将其熔断，即写入0。熔丝熔断后是无法接上的，所以PROM只给用户提供了一次性编程的机会，这给用户仍然带来诸多不便。