结终端特性表征：实用方法与技巧

为了表征结终端结构的优劣性或效果，可采用以下三个参量，即表面电场强度、耐压效率及结终端尺寸或芯片面积的有效利用率来描述。

1.表面电场强度

对平面结终端而言，表面电场强度的高低取决于表面击穿电压与表面曲率半径，可用下式来表示：

式中，E_S为表面电场强度；U_BRS为表面击穿电压，即终端击穿电压；d_r为pn结在表面处的曲率半径。

由式（7-3）可知，d_r越大，表面电场强度越低。结终端耐压效果就越好。但对应的结终端尺寸就越大。所以，结终端尺寸与耐压效果之间互为矛盾关系。

对台面结终端而言，表面电场强度的高低取决于表面击穿电压与pn结在斜面上空间电荷区的扩展宽度W_S，可用下式来表示：

在结终端结构设计时，尽可能增加曲率半径或表面空间电荷区的扩展宽度，以降低表面电场强度，使其稍低于或等于体内电场强度。(www.xing528.com)

2.耐压效率

为了表示结终端结构的有效性，可用耐压效率来描述。耐压效率定义为终端击穿电压与理想的体内击穿电压的比值，可用下式来表示：

式中，U_BRS为终端击穿电压；U_BRB为体内击穿电压。通常η_v≤1，η_v越大，表示结终端结构耐压效果越好。

3.结终端尺寸

芯片面积的有效利用率与终端尺寸的大小密切相关，可用下式来表示：

式中，S_C为芯片的总面积；S_t为结终端所占面积；S_C-S_t为芯片的有源区的面积。通常η_A≤1，η_A越大，表示结终端尺寸越小，芯片的有效利用率越高，结终端结构的效果越好。