【摘要】：IGCT开关过程及通态过程所需的门极电流由IGCT的门极驱动电路提供，它一般采用硬驱动技术。具有这种集成门极驱动装置的IGCT能非常容易地放入组件中正确位置，并与其电源和光纤控制相连，所以IGCT的门极驱动的要求比IGBT低，这给设计和使用带来了极大的方便。
IGCT开关过程及通态过程所需的门极电流由IGCT的门极驱动电路提供，它一般采用硬驱动技术。所谓“硬驱动”是指器件在关断过程中的短时间内，给其门极加以上升率dig/dt及幅值都很大的驱动信号。硬驱动有双重的优势：一方面，关断时间绝对值和离散性大大减小，方便了IGCT的高压串联应用，如果发生过电流失效，器件烧毁使其自身短路，而不像IGBT那样会对邻近的元器件造成危险；另一方面，原先在关断瞬态用来抑制过电压的吸收电路得以简化，甚至可以取消。IGCT要求的门极驱动功率要比IGBT大几倍，这要求门极电路中的漏电感要非常小（如dig/dt=1000A/μs时，杂散电感小于5nH），在IGCT内部是通过印制电路板把GCT与门极驱动电路直接相连的，所以门极驱动电路与GCT极为靠近。为了更加坚固与紧凑，门极驱动电路应围绕着GCT，并使GCT和冷却装置形成一个自然整体，其中应包括GCT门极驱动电路所需的全部元器件，因此减少了门极驱动电路的元器件数，降低了热耗散、电应力及内部热应力。具有这种集成门极驱动装置的IGCT能非常容易地放入组件中正确位置，并与其电源和光纤控制相连，所以IGCT的门极驱动的要求比IGBT低，这给设计和使用带来了极大的方便。(www.xing528.com)
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