【摘要】：以上计算串音衰减的公式，还没有考虑到放在同轴对外导体上的屏蔽，一般屏蔽包括两层钢带或双金属带，反向绕包在外导体上。所谓屏蔽系数，是当存在屏蔽层时电缆外空间任何一点的电场强度与同一点在无屏蔽时的电场强度的比值。显然，屏蔽衰减越大，表示屏蔽效果越高。图5-35所示为不同材料屏蔽的屏蔽效应与频率的关系；而图5-36所示为屏蔽衰减与屏蔽体厚度的关系。
以上计算串音衰减的公式，还没有考虑到放在同轴对外导体上的屏蔽，一般屏蔽包括两层钢带或双金属带，反向绕包在外导体上。
屏蔽效果取决于材料的性质ρ、μ及屏蔽厚度t，并随着这些数值的增加而增加。在实际应用中，屏蔽效果可用屏蔽系数S来估计。所谓屏蔽系数，是当存在屏蔽层时电缆外空间任何一点的电场强度与同一点在无屏蔽时的电场强度的比值。因此，屏蔽系数越小，表明屏蔽效果越好，同轴电缆的屏蔽系数S可以用下式表示：
式中 k——涡流系数；
μ——屏蔽材料的磁导率；
σ——屏蔽材料的导电率；
t——屏蔽厚度（cm）；
相应地，屏蔽衰减Bp可由下式确定：
对于60kHz以上的频带，可用下列简化公式：
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显然，屏蔽衰减越大，表示屏蔽效果越高。图5-35所示为不同材料屏蔽的屏蔽效应与频率的关系；而图5-36所示为屏蔽衰减与屏蔽体厚度的关系。
图5-35 不同材料屏蔽的屏蔽效应与频率的关系
1—钢屏蔽 2—铜屏蔽
图5-36 屏蔽衰减与屏蔽体厚度的关系
这样，同轴线对近、远端的串音衰减及防卫度的最后结果应是：
近端串音衰减＝Bo+Bp
串音防卫度＝B12+Bp
远端串音衰减＝Bl+Bp＝B12+Bl+Bp （5-86）
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