随机存取存储器介绍

随机存取存储器（RAM）又称随机读／写存储器，指的是可以从任意选定的单元读出数据，或将数据写入任意选定的存储单元。其优点是读、写方便，使用灵活，缺点是一旦断电，所存储的信息就会丢失。图7－8所示为RAM的结构框图（I／O端画双箭头是因为数据既可由此端口读出，也可写入）。

图7－8　RAM的结构框图

存储矩阵由许多个信息单元排列成n行、m列的矩阵组成，共有n×m个信息单元，每个信息单元（每个字）有k位二进制数（1或0），存储器中存储单元的数量称为存储容量；地址译码器分为行地址译码器和列地址译码器，它们都是线译码器。在给定地址码后，行地址译码器输出线（称为行选线，用X表示，又称字线）中有一条为有效电平，它选中行存储单元，同时列地址译码器的输出线（称为列选线，用Y表示，又称位线）中也有一条为有效电平，它选中一列（或几列）存储单元，这两条输出线（行与列）交叉点处的存储单元便被选中（可以是一位或几位），这些被选中的存储单元由读／写控制电路控制，与输入／输出端接通，实现对这些单元的读或写操作。当时，进行写入数据操作。当然，在进行读／写操作时，片选信号必须为有效电平，即。(www.xing528.com)

为了表述清楚，图7－9所示为256×4（256个字，每个字4位）RAM存储矩阵的示意图。如果行、列地址译码器译出X0和Y0均为1，则选中了第一个信息单元，而第一个信息单元有4个存储单元，即这个存储单元被选中，可以对这4个存储单元进行读出或写入。　

RAM按照工作原理不同可以分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。静态RAM的存储单元是利用基本RS触发器存储信息的，保存的信息不易丢失。而动态RAM的存储单元是利用MOS的栅极电容来存储信息，由于电容的容量很小以及漏电流的存在，因此，为了保持信息，必须定时地给电容充电，通常称为刷新，故称为动态存储单元。

图7－9　256×4RAM存储矩阵的示意图