【摘要】：在聚光式 太阳能光伏系统中，太阳电池芯片一般采用InGaP/InGaAs、GaAs以及硅太阳电池，图5.29为不同芯片的聚光比与转换效率的关系，聚光比 是指聚光的辐射强度与非聚光的辐射强度之比。另外，芯片的转换效率起初随聚光比增加而上升，在某聚光比时转换效率达到最大值后随后降低，且串联电阻Rs越小，转换效率的最大值越大。图5.29 聚光比与转换效率
在聚光式 (Concentrating PVSystem) 太阳能光伏系统中，太阳电池芯片一般采用InGaP/InGaAs、GaAs以及硅太阳电池，图5.29为不同芯片的聚光比与转换效率的关系，聚光比 (Concentration Ratio) 是指聚光的辐射强度与非聚光的辐射强度之比。聚光型太阳电池芯片的短路电流密度与聚光比成正比，开路电压随聚光比的对数的增加而缓慢增加，而且填充因子也随聚光比的增加而增加，所以与非聚光太阳电池芯片相比，聚光比的增加可使聚光太阳电池芯片的转换效率增加。
由图5.29可知，非聚光时，硅芯片的转换效率为18%、GaAs芯片的转换效率为24%，InGaP/InGaAs/Ge三接合芯片的转换效率为32%，而在聚光时，硅芯片的聚光比为100时转换效率23%，GaAs芯片的聚光比为200时转换效率为29%，InGaP/InGaAs/Ge三接合芯片的聚光比为500时转换效率为40%，可见，使用不同的材料的太阳电池芯片时，聚光比越高则转换效率越高。另外，芯片的转换效率起初随聚光比增加而上升，在某聚光比时转换效率达到最大值后随后降低，且串联电阻Rs越小，转换效率的最大值越大。(www.xing528.com)
图5.29 聚光比与转换效率
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