测量放大倍数的方法与注意事项

放大倍数的测量主要针对晶体管及场效应晶体管，主要有直流参数放大倍数和交流小信号放大倍数。下文将分别介绍其测量方法。

1.直流电流放大倍数的测量

晶体管是电流控制电流型半导体分立器件，因此放大倍数是电流放大倍数β。而场效应晶体管则是电压控制电流型器件，因此其放大倍数称为跨导g_m。但两者测量的方法是一致的，都是在额定的静态工作点上进行测量。以晶体管8050的直流放大倍数为例，介绍直流电流放大倍数的测量方法。

测量条件：U_ce=1V，I_c=100mA。

合格条件：85≤β≤300，β（TYP）=160。

测量方法：测量电路如图10-25所示。首先建立静态工作点，使晶体管工作在放大区。根据测试条件要求，恒压源2预施加的电压可以根据限流电阻R₁和晶体管集电极电流I_c以及集电极到发射极电压U_ce计算得到。恒压源1的电压从晶体管基极的导通电压U_be以下开始逐步增加，起始状态是晶体管截止，在增加的过程中晶体管导通，进入放大区工作状态，同时集电极的电流从零开始慢慢变大，电压表监视到集电极与发射极间电压U_ce由大到小变化，直到满足U_ce=1V，停止恒压源1的变化，此时电流表A₁测量电流I_b，电流表A₂测量电流I_c，计算放大倍数β=，得到共射直流放大倍数β。

图10-25 晶体管直流放大倍数测量原理图

2.交流小信号放大倍数的测量(www.xing528.com)

交流小信号的放大倍数是被测器件工作在额定的静态工作点上，对交流小信号的放大能力。交流信号叠加在直流信号上，要保证整个周期放大管工作在导通线性放大状态，因此交流信号的幅度不能过大。以下以晶体管8050为例介绍其交流小信号放大倍数的测量方法。

测量条件：U_ce=1V，I_c=100mA，输入交流信号频率为1kHz，输入交流电流的幅度为直流的10%。

合格条件：。

测量方法：晶体管交流小信号放大倍数测量方法的原理框图如图10-26所示，主要有静态工作点建立电路、直流I_b补偿电流、交流电压电流测量电路及交流信号源组成。建立好静态工作点后，在输入端输入1kHz的正弦信号，幅度为直流成分的10%左右，测量交流成分的电流与，计算交流小信号放大倍数的。

测量电路中，C₁、C₂及C₃值的选择在1kHz频率下呈现出无穷小的阻抗，起到耦合和旁路作用。LC并联电路，相比于晶体管输入阻抗呈现无穷大的阻抗。

交流小信号电流放大倍数的测量有两种方法：第一种是直接测量交流电流，计算放大倍数；第二种方法是电压测量法，通过测量交流电压U₁、U₂及U₃，已知R₁和R₂的阻值，计算出基极与集电极的交流电流，从而计算交流放大倍数。

图10-26 晶体管交流小信号放大倍数测量原理框图