工作特性和参数分析

1.共射电流放大系数和β

在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和基极电流IB的比就是称为共射直流电流放大系数。

当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会引起iB的变化，相应也会引起iC的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，即：

上述两个电流放大系数和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。

由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大，常用的小功率三极管β值一般为20～100，一般选用β在40～80之间的管子较为合适。

2.极间反向饱和电流ICBO和ICEO

（1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常可忽略。

（2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。

3.极限参数

1）集电极最大允许电流ICM

晶体管的集电极电流iC在相当大的范围内，β值基本保持不变，但当iC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的iC，即为集电极最大允许电流ICM。为了使三极管在放大电路中能正常工作，iC不应超过ICM。

2）集电极最大允许功耗PCM

晶体管工作时，集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即：PCM＝iCuCE。

功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图2-3所示。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。(www.xing528.com)

手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。

3）反向击穿电压U（BR）CEO

反向击穿电压U（BR）CEO是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端电压UCE＞U（BR）CEO，集电极电流iC将急剧增大，这种现象称为击穿。

图2-3　三极管的允许功耗线

4.温度对三极管参数的影响

1）对β的影响

三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升1℃，β值增大0.5%～1%，其结果是在相同的iB情况下，集电极电流iC随温度上升而增大。

2）对反向饱和电流ICEO的影响

ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以温度对硅管ICEO的影响不大。

3）对发射结电压uBE的影响

和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，uBE将下降2～2.5 mV。

综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。

思考题：三极管极间反向饱和电流ICBO和ICEO越小越好，这个结论对吗？