高性能2W电源适配器：6.2V，322mA实例

由LNK362P构成的6.2V、322mA（2W）电源适配器电路如图4-3所示。它属于反激式变换器。85～265V交流电经过熔断电阻器（R_F）、整流滤波电路（VD₁～VD₄，C₁、C₂）后获得直流高压，接至一次绕组的一端，一次绕组的另一端接LNK362P的漏极。由L₁、L₂、C₁和C₂构成抑制传导噪声的EMI滤波器。电阻R₁为阻尼电阻，可防止EMI滤波器产生自激振荡。C₄为安全电容（Y电容）。在高频变压器的一次绕组与二次绕组之间，还需绕制两个屏蔽绕组。

为降低成本，该电源采用无钳位的高频变压器绕制技术。当LNK362P内部功率MOS_- FET关断时，由高频变压器漏感产生的尖峰电压可被一次绕组的匝间电容所吸收，因此一次侧不需要设计钳位保护电路。这是该电源的一大特点。

当电源从空载加载到最大功率（2W）时，LNK362P就采用跳过开关周期的方法来调节输出电压，使之保持稳定。若输出过载且在40ms内没有反馈信号，则LNK362P进入自动重启动模式，功率MOSFET在每800ms时间内只能工作40ms，从而起到保护作用。

图4-3 由LNK362P构成的6.2V、322mA（2W）电源适配器电路(www.xing528.com)

设计要点：

（1）高频变压器采用EE16型铁氧体磁心，最大工作磁通密度（B_M）应小于0.15T，以减小音频噪音。一次绕组用ϕ0.11mm漆包线绕203匝（必须分两层绕制，以确保有足够的匝间电容来实现无钳位保护），二次绕组用ϕ0.4mm漆包线绕制17匝。一次绕组的电感量L_P=2.2mH。

（2）该电源没有钳位保护电路，这就要求功率MOSFET在关断期间，一次绕组产生的感应电压U_OR应低于90V（实测为74V），确保最大漏极电压不超过650V。

（3）该电源工作在不连续模式DUM（Discontinuous Mode），一次侧纹波电流与峰值电流的比值K_RP/K_DP（即KP）应大于1。