【摘要】：将带有镍纳米线阵列的硅片在高温氧化炉中进行不同温度氧化即可得到晶粒尺寸不同的NiO纳米线阵列，然后通过lift-off工艺制备成微电极。图6.3.1为NiO微电极的制备流程示意图。图6.3.1NiO纳米线的组装过程和传感器的制备原理示意
首先利用磁场诱导肼还原法制备超长镍纳米线，并将其均匀分散在去离子水中，镍纳米线的制备工艺参数为：Ni2+离子（来源于镍盐）浓度低为0.010 mol/L、反应温度为75℃、NaOH浓度为0.03 mol/L、乙二醇做溶剂、外磁场强度为0.5 T、反应时间为70 min、N2H4·H2O浓度为0.01 mol/L。将表层为300 nm的SiO2层的硅片用丙酮、乙醇、去离子水分别超声3次，并将其置于平底烧杯中，烧杯中加入1/2体积的水，然后将整个烧杯置于平行磁场中，把均匀分散于去离子水中的镍纳米线逐滴从烧杯水面表层滴下，外磁场的作用下，镍纳米线按照平行磁场的磁力线排布形成镍纳米线阵列，最后用吸管从烧杯壁部分缓慢吸掉水溶液，将硅片烘干即可。
将带有镍纳米线阵列的硅片在高温氧化炉中进行不同温度氧化即可得到晶粒尺寸不同的NiO纳米线阵列，然后通过lift-off工艺制备成微电极。Lift-off工艺的具体步骤如下：首先在组装有NiO纳米线阵列的硅片上覆盖掩模板，进行甩胶、烘干、曝光、显影后烘工艺，在硅片上得到叉指形光刻胶侧剖面几何图形；然后通过磁控溅射在基片表面获得金属（钛和金）层，最后剥离掉掩模层及其上层金属，则与基片紧密接触的金属电极图形保留了下来形成叉指电极。图6.3.1为NiO微电极的制备流程示意图。(https://www.xing528.com)
图6.3.1 NiO纳米线的组装过程和传感器的制备原理示意
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