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盘荷波导电磁场理论及计算

时间:2023-06-27 理论教育 版权反馈
【摘要】:1)盘片孔径功率流P在盘荷波导中近轴处为行波,远轴处为驻波。功能B:给定盘荷波导半径b 和沿轴向的相位传播常数β0 与其他基本尺寸,计算确定盘荷波导RF 频率f。

盘荷波导电磁场理论及计算

在行波直线加速器中,由于电子的速度总是小于光速,因此需要采用慢波结构使加速腔中的微波相速度降低,保持加速电子与微波场的相位同步,从而达到行波加速的目的。在行波加速器中,最简单有效的慢波结构当属盘荷结构,也叫作盘荷波导。盘荷结构作为一种慢波结构,同时也是一种周期结构。盘荷结构可以看作在圆波导中加入了周期性的带孔盘片,可以有效降低其间传输的微波相速。由于圆波导的相速总是大于光速,为了加速电子,必须降低它的相速,使之接近或小于光速,周期性的盘片将圆波导分割为很多个腔体,其中一个腔体可以看作一个周期。

1.盘荷波导慢波场

盘荷波导截面示意图(加速腔结构关于中心点对称,取中心点为图中原点)如图7-3 所示,阴影部分为盘荷结构的盘片,其他为真空区域。为方便描述,以rc 为边界线,其下的沿轴真空区域为Ⅰ区,其上的真空区域为Ⅱ区。这里只考虑角向均匀的TM 模,在圆柱坐标系中求各区域场分量的级数表达式[4]

区域Ⅰ为近轴区域(0≤r≤rc,- D/2≤z≤D/2),为慢波区,这里的电磁场为行波场,TM01 模场分量按级数(m、n 范围为负无穷到正无穷)展开为

图7-3 盘荷波导截面示意图

这里的Am 为场的不定系数,β0 为基波的相位常数。

区域Ⅱ为凹槽区(rc≤r≤b,- z1≤z≤z1),可以看成在r=b 处短路的径向传输线,z 方向为驻波,其电磁场表达式为

当ξn 为虚宗量时,

这里的Bn 为场的不定系数,当n 为奇数时为jsin(ηn z),当n 为偶数时,

2.色散方程

考虑到两个区域在r=rc 的边界上连续,则由式(7-12)和式(7-18)整理化简可得

这里的

当n 为偶数时,上式取加号,奇数时取减号。

考虑盘片倒角时,场分析法难以求解。采用变分法可转化为求解式(7-29)的非零解。

其中

要想式(7-29)有非零解,根据线性代数则有

式(7-31)即为所求的色散方程[5-8],通过求解此方程可以得到加速腔的基本尺寸。

3.参数计算

在求得盘荷波导的基本几何尺寸后,基于式(7-29)计算其对应的A 值,可得到结构腔中的电磁场表达式,然后就可以求盘荷波导的基本物理参数,如功率流P、储能密度W、串联阻抗RS、分路阻抗RM品质因数Q、衰减系数α 等。这些微波特性参数是衡量高频加速腔加速性能的重要指标。

1)盘片孔径功率流P

在盘荷波导中近轴处为行波,远轴处为驻波。研究行波在波导中的传输及损耗特性是十分有必要的,在盘片孔径处(图7-3 的z=D/2 处)通过横截面的功率流P 可表示为

其中

2)腔内总储能密度W

为了便于计算品质因素以及群速度等参数的计算,总储能密度是一个关键量,其数学表达式为(www.xing528.com)

3)腔内壁功率损耗PL

微波在波导传输中在波导壁上损耗一部分功率,一般以热能的形式表现出来,损耗功率程度一般取决于波导材料的电导率以及微波的趋肤深度,其表达式为

式中:R= 1/(σδ)为表面电阻;σ 为金属电导率;δ 为趋肤深度。趋肤深度的一般公式为,这里的ω 为电磁场角频率,μ 为磁导率,σ 为电导率。

4)其他主要参数

求得P、W、PL 后,则可由式(7-38)~式(7-42)求衰减系数α、特征阻抗RM、串联阻抗RS、群速度βg品质因数Q:

通过上述一系列公式即可计算出相关的分路阻抗、品质因数、群速度以及衰减因子等加速器设计核心参数,不难看出整个计算的核心就是求解结构中的电磁场表达式。采用变分法编程计算是求解基本尺寸和电磁场的有效方法之一,下面具体讨论其实现过程。

4.程序编制

1)程序功能讨论

在加速器设计及分析过程中,主要涉及基本尺寸求解、腔体频率求解、电磁场求解以及相关微波特性参数求解这四个方面的内容。根据上一节提到的变分法计算方法,可编制对应的程序,包括以下几个功能[5-8]

功能A:给定设计频率f 和沿轴向的相位传播常数β0 与其他基本尺寸,计算确定盘荷波导半径b。

功能B:给定盘荷波导半径b 和沿轴向的相位传播常数β0 与其他基本尺寸,计算确定盘荷波导RF 频率f。

功能C:给定盘荷波导的微波频率f 和沿轴向的相位传播常数β0 与基本尺寸,计算确定盘荷波导的空间谐波幅度、分路阻抗、串联阻抗、群速度和品质因数。

功能D:计算边界上的电磁场和区域内任意点的电磁场。

2)多种盘片结构考虑

为了便于对照和辅助加工,提高程序的兼容性,可以在程序中考虑如图7-4所示的四种圆弧孔径结构。由于单元腔关于其中心对称,这里仍取单元腔的1/4来研究。图7-4(a)和(b)这两种结构考虑的倒角为1/4 圆,且圆弧半径小于或等于盘片厚度的一半,两者的区别在于图7-4(b)结构的δ= 0。图7-4(c)和(d)两种结构的倒角圆弧小于1/4 圆,且圆弧半径大于盘片厚度的一半。

图7-4 四种圆弧孔径结构

根据图7-4 所示,不同的盘片结构,其计算所用边角参数r 和z 值分别可表示为:

对于图7-4(a)、(b)两种结构有

对于结构图7-4(c)有

对于结构图7-4(d)有

3)程序流程

单个程序难以同时实现前面所述的四个功能,综合考虑需要编制三个程序。其中,实现A 功能的程序1 流程示意图如图7-5 所示,实现B 功能的程序2的流程示意图与程序1 类似,只需要更改b 和f 位置,即利用参数b 为初始条件计算f。

实现功能C 和功能D 的程序3 流程示意图如图7-6 所示。

图7-5 程序1 流程示意图

图7-6 程序3 流程示意图

基于上述程序就可以进行加速腔设计及性能分析,一般具有较好的精确度。其结果可与CST、SUPERFISH 等电磁仿真软件相互比对,辅助参数优化和腔体加工。需要指出的是,本节的电磁理论是针对TM01 模而言的,事实上,加速腔内的电磁场除了基模以外,还存在大量的高次模分量[8-9],这些高次模分量对加速过程几乎不起作用,因此在低频段加速器中常常不做考虑。但是在高频段(C 波段以上)、大电流等情况下其高次模场强会急剧增大,对束流品质甚至稳定性造成显著的影响,此时需要重点研究并考虑抑制方法[9-11]

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