【摘要】：IGBT是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。图2-7 IGBT实物图2-8 IGBT电路IGBT的特点如下：1）电流密度大，是MOSFET的数十倍。5）开关速度快，关断时间短，耐压1～1.8kV的约1.2μs、600V级的约0.2μs，约为GTR的10%，接近于功率MOSFET，开关频率可达100kHz，开关损耗仅为GTR的30%。2）红表笔接IGBT的集电极，黑表笔接IGBT的发射极，所测得是数值应为无穷大。3）而IGBT的栅极与集电极和发射极之间有一定的电阻值。
集成电路方式：IC9为IGBT驱动电路的核心器件，在电磁炉中应用广泛。由IC6的第②脚输出的脉冲信号送到IC9第①脚，经IC9放大，通过第⑦脚送到IGBT的G极，驱动控制门控管的通、断。当脉冲信号的高电平宽度越宽时，电磁炉的火力就越强，反之，则火力就越弱。
分立元件方式：R12与IGBT的C、E极寄生电容并联，起放电保护作用，Z1起限幅作用。由于IGBT的C极与E极之间存在着较大的寄生电容，所以在驱动脉冲电压上升及下降时需要提供数安培的充放电电流才能满足通、断的动态要求。电磁炉工作时，波形发生器IC1第⑬脚输出脉冲信号送到VT8、VT9组成的推挽放大电路，当脉冲信号为高电平时，VT9导通，+18V电源通过R43、R13对IGBT的G极寄生电容充电，当G极电压大于门电压时，IGBT管处于导通状态，当脉冲信号为低电平时，VT8导通，寄生电容通过R13和VT8放电，当G极电压小于门电压时，IGBT处于截止状态。
IC9相关电路如图4-26所示。(www.xing528.com)
图4-26 IC9相关电路
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
