萃取关键参数，实现高效运作

1.二极管的主要参数

(1)普通二极管的主要参数

•最大整流电流IFM

二极管正常连续工作时,所允许通过的最大正向平均电流。

•最大反向工作电压VRM

二极管在正常工作时,所能承受的最高反向电压值,是反向击穿电压值的一半。

•反向电流IR

二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流。此参数反映了二极管单向导电性能的好坏,此电流值越小二极管质量越好。硅二极管的反向电流一般在纳安(n A)级;锗二极管在微安(μA)级。

•正向压降VF

在规定的正向电流下二极管的正向电压降。小功率硅二极管的正向压降在中等电流情况下为0.6～0.8 V,锗二极管为0.2～0.3 V。

•最高工作频率fM

保证二极管正常工作的最高频率。

(2)稳压二极管的主要参数

•稳定电压UZ

稳压二极管在正常稳定电压工作状态下,管子两端的电压。

•稳定电流IZ

稳压二极管工作在稳定电压UZ状态的工作电流。

•最大稳定电流IZ(max)

稳压二极管稳定工作时的最大工作电流极限。

•电压温度系数

稳压二极管的稳定电压受温度变化影响的系数。稳定电压值高于6 V的稳压管具有正温度系数,即稳定电压值随温度升高略有上升;稳定电压值低于6 V的稳压管具有负温度系数,即稳定电压值随温度升高略有下降;而稳定电压值为6 V左右的稳压管的温度系数基本为零。

(3)发光二极管的主要参数

•最大工作电流ICM

发光二极管长期工作时,所允许通过的最大电流。

•正常工作电流IF(www.xing528.com)

发光二极管两端加上规定的正向电压时,发光二极管内的正向电流。

•正向电压降VF

发光二极管通过规定的正向电流时,发光二极管两端产生的正向电压。

•反向电流IR

发光二极管两端加上规定的反向电压时,发光二极管内的反向电流。该电流又称为反向漏电流。

•发光强度IV

表示发光二极管亮度大小的参数,其值为通过规定的电流时,在管心垂直方向上单位面积所通过的光通量。

•发光波长λ

发光二极管在一定工作条件下,所发出光的峰值(为发光强度最大的一点)对应的波长,又称为峰值波长(λP)。

2.晶体管的主要参数

•集电极-基极反向电流ICBO

发射极开路时,集电极、基极间的反向饱和电流。

•集电极-发射极反向电流ICEO

基极开路时集电极、发射极间的穿透电流。此值越小说明晶体管稳定性越好。

•晶体管的电流放大系数β

晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实际使用中一般不再区分,都用β表示,也可用hFE表示。

•集电极最大允许电流ICM

晶体管β保持不变的最大IC值。

•集电极最大允许耗散功率PCM

晶体管集电极的功耗超过此值,晶体管将被热击穿。

•集电极-发射极反向击穿电压U(BR)CEO

基极开路时,集电极发射极之间所允许加的最大电压。

•特性频率fT

晶体管的β值随工作频率的升高而下降,晶体管的特性频率是当β下降到1时的频率值。