【摘要】：LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。不良品的外延片就不用来做方片，直接做电极，同时不做分检，也就是目前市场上的LED大圆片。图2.16 外延片的外观
外延生长是在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定的单晶薄膜。
LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。外延片的生产制作过程是非常复杂的，当延展完外延片后，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其他为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极、N极），接下来就用激光切割外延片，然后全部进行分捡，根据不同的电压、波长、亮度进行全自动化分检，也就是形成LED芯片（方片）。然后还要进行目检，把有缺陷或者电极有磨损的分捡出来，这些就是后面的散晶。此时在蓝膜上不符合正常出货要求的芯片，也就自然成了边片或毛片等。不良品的外延片（主要是有一些参数不符合要求）就不用来做方片，直接做电极（P极、N极），同时不做分检，也就是目前市场上的LED大圆片。外延片的外观如图2.16所示。(www.xing528.com)
图2.16 外延片的外观
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