IBIS规范中，定义了以下关键字来描述V/I数据，见表2-1。
表2-1 V/I关键字
我们先来认识一下V/I曲线吧。图2-3所示就是一个三态的IBIS模型以及其Pull Up+Pull Down+Power Clamp+Gnd Clamp的V/I曲线。我们在模型中所圈出的3个部分是和V/I曲线所圈出的3个部分一一对应的。
看过图2-3后我们大致知道了其实V/I曲线描述的就是两个MOS FET与两个二极管的电压与电流的对应关系。
但是我们似乎还有些疑问，比如说为什么要选取电压、电流两个参数呢？首先电压、电流是容易测量的。缓冲器的输出电压代表着电平的高低，输出电流代表着驱动后级负载的能力。另外电压与电流的变化还可以反映出缓冲器内部的阻抗变化。
图2-3 三态IBIS模型与V/I曲线的对应关系(www.xing528.com)
图2-4所示是Xilinx公司的Virtex-5器件的HSTL_I_12模型。通过观察图2-4可以发现，在芯片厂商提供的IBIS模型中，无论是封装参数还是V/I曲线，通常都有三组数据列表，即typical（典型值）、minimum（最小值）和maximum（最大值）。在IBIS规范中只是规定typical（典型值）是一定要有的，而minimum（最小值）和maximum（最大值）是允许空缺的，空缺时用NA表示。那么这三组数据分别用在什么场合中呢？
图2-4 HSTL_I_12模型片段
由于器件工艺（Process）、工作电压（Voltage）和工作温度（Temperature）等都会影响到Buffer的V/I和V/t曲线，因此IBIS模型中给出了三种工作模式，分别为快速[Fast（最
大值）]、普通（典型值）和低速[Slow（最小值）]，其中
快速=快速进程+高电压+低温（Fast=Fast process+high voltage+low temperature）低速=低速+低电压+高温（Slow=Slow process+low voltage+high temperature）
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