从N型半导体到P型半导体的掺杂方式及稳压管电路计算练习

1.判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）

（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）

（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ）

（5）结型场效应晶体管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R_GS大的特点。（ ）

（6）若耗尽型N沟道MOS管的U_GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）

2.选择正确答案填入空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A.变窄B.基本不变C.变宽

（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是＿＿。

A.B.C.

（3）稳压管的稳压区是其工作在＿＿。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿(www.xing528.com)

（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为＿＿。

A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏

（5）U_GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应晶体管有。

A.结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管

3.写出图7-37所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U_D=0.7V。

图7-37 习题7.3图

4.已知稳压管的稳压值U_Z=6V，稳定电流的最小值I_Zmin=5mA。求图7-38所示电路中U_O1和U_O2各为多少伏。

5.某晶体管的输出特性曲线如图7-39所示。其集电极最大耗散功率P_CM=200mW，试画出它的过损耗区。

图7-38 习题7.4图

图7-39 习题7.5图