同步动态随机存储器（Synchronous DRAM，SDRAM），其工作速度常见的有66MHz、100MHz、133MHz等规格。其工作速度与系统总线速度同步，即与系统时钟同步，EMIF可以和各种类型的SDRAM无缝连接，这样就可避免不必要的等待周期，减少数据存取时间，提高系统效率。
1.SDRAM硬件接口与控制命令
图3-10是TMS320C64x DSP的EMIF和SDRAM的连接。SDRAM接口引脚信号及功能见表3-11。
图3-10 EMIF的64MbitSDRAM接口
表3-11 SDRAM接口引脚信号及功能
TMS320C64x EMIF允许对SDRAM的地址属性进行编程，包括列地址位（页面大小）、行地址位（每个组中的页面数）和组的数量（可以打开的页面最大数量）。EMIF地址寄存器的数量限制了打开页面的数量，TMS320C64x EMIF可以同时打开多达4个SDRAM页面，这些页面都可以在一个CE空间中的不同组中，或分配在多个CE空间中。每个组中每次只可以打开一页。TMS320C64x EMIF支持的SDRAM命令见表3-12。
表3-12 TMS320C64x EMIF支持的SDRAM命令
（续）
2.SDRAM软件操作
（1）SDRAM的初始化
当任意一个EMIF的CE空间被配置为SDRAM后，必须进行初始化。复位后，任何CE空间都不会被配置为SDRAM。初始化只需要向SDRAM的控制寄存器中的INIT写入1，申请初始化，然后DSP会自动完成初始化的所有过程。整个初始化过程包括下面3个步骤。
1）向所有配置为SDRAM的CE空间发出DCAB命令。
2）执行8个REFR刷新命令。
3）向所有配置为SDRAM的CE空间发出MRS命令。
若是系统中不存在SDRAM，则不应该置SDCTL的INIT位。
DSP上电后，若
引脚保持高电平，DSP将不会执行向所有配置为SDRAM的CE空间发出DCAB命令的操作。(www.xing528.com)
（2）SDRAM监控页面边界
SDRAM属于分页访问存储器，故而EMIF的SDRAM控制器会监测访问SDRAM时的行（Row）地址的情况，以避免访问过程中发生行越界的情况。为了优先完成该功能，EMIF会自动将当前页的地址保存在内部页寄存器，然后与后续存取的地址进行比较。每一个CE空间的存储和比较都是独立进行的。
一旦发现存取访问发生了页面越界，EMIF会自动执行DCAB操作，然后再开始新的行的访问。
为了减少重启和关闭的切换时间，使接口在控制过程中可以充分利用地址信息。在当前存取操作结束时，并不会立即关闭SDRAM中已经激活的行，而是维持当前激活行的打开状态，直到必须要关闭为止。
（3）EMIF地址移位
因为行地址与列地址输出使用相同的EMIF引脚，所以EMIF必须要对行地址与列地址进行相应的移位处理。地址位移完全由列大小段位（SDCSZ）控制，不受组和行大小段位的影响。
对应于SDRAM芯片页选通时的地址信号，会在片内被SDRAM控制器锁存，以保证在执行READ和WRT命令时选通正确的页。
（4）SDRAM刷新模式
在EMIF中，SDRAM控制寄存器的RFEN位实现SDRAM的刷新模式控制。如果RFEN位为0，则禁用所有EMIF刷新；如果RFEN位为1，EMIF会向所有的SDRAM空间发出刷新命令（REFR）。
在发出刷新命令之前，EMIF会自动插入一个DCAB命令，以保证刷新过程中所有选通的SDRAM都处于未激活状态。插入DCAB命令后，EMIF开始按照PERIOD位所设置的周期值进行定时刷新。
刷新命令（REFR）具有较高优先级，刷新前后，页面信息会变为无效，因此，刷新总是迫使一个页关闭。
EMIF的SDRAM控制模块内部还有一个两位的计数器，用来监测提交的刷新申请的次数，在复位时，计数器自动置为11，以保证在存取访问之前先进行若干次刷新。每提交一次申请，计数器加1，每次刷新周期之后，计数器减1。计数器的值为11时，表明紧急刷新状态，此时页信息寄存器将变为无效，迫使控制器关闭当前的SDRAM页面。然后EMIFSDRAM控制寄存器在DCAB命令后执行3次刷新命令，使计数器的值减为0，再继续完成余下的存取操作。上述操作对所有配置为SDRAM的存储空间是同时进行的。
为了降低SDRAM工作的功耗，在TMS320C64x系列的DSP中，将SDRAM控制寄存器的SLFRFR位设置为1，EMIF将自动刷新片外所有空间的SDRAM器件。自动刷新比手动刷新的功耗更低。
如果总线处于外部控制状态，则此时无法向SLFRFR位写入1，该位仍然保持为0；如果总线处于刷新状态，则当外部设备请求总线控制时，需要等待16个时钟周期后，总线请求才会得到响应。
用户设置了自动刷新后，还可以关闭提供到SDRAM的时钟信号ECLKOUT1，从而进一步节省功耗。但关闭时钟信号后，再次读写SDRAM前必须重新打开时钟信号。
如果将SDRAM控制（SDCTL）寄存器的SLFRFR位设为1，必须同时将RFEN位设为0，否则会产生刷新冲突。EMIF的SDCKE信号必须接入到SDRAM的CKE信号上，方可使用自刷新操作。
（5）SDRAM模式寄存器设置
在SDRAM中引入了模式寄存器，模式寄存器位于外部的SDRAM器件中，控制SDRAM操作的参数，使得SDRAM的存取效率大为提高。在正常的读写访问之前，EMIF必须初始化SDRAM的模式寄存器。EMIF通过MRS命令设置模式寄存器，MRS命令会发送到片外所有空间的SDRAM。执行MRS命令之后，EMIF的SDRAM的控制寄存器中INIT位清零，以免产生多个MRS周期。EMIF在执行MRS命令后自动送入一个固定的值0x0030（TMS320C620x/670x）或者0x0032（TMS320C621x/671x/64x），这些值用户不能设置。
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