由于ZnO（六方）和MgO（立方）晶体结构不同，使得生长的MgZnO合金在一定Mg含量范围出现结构相分离。即使在非平衡状态下进行MgZnO薄膜的生长，也会不可避免地在0.33＜x＜0.65范围内出现相分离。本节中，将通过高压作用，在常压相分离的Mg含量范围制备出单一立方MgZnO相。下面将对单一立方MgZnO的形成机理进行分析。
首先，MgO和ZnO的体系中，在压力恒定的条件下，随着温度的升高，MgO和ZnO之间的固溶度会增大；而温度恒定的条件下，随着压力的升高，同样也会出现固溶度增大的趋势，使之不再遵循常压下的分凝系数而实现高浓度互溶。
其次，在高浓度固溶体MZO形成过程中，将出现中间产物w-MZO和rs-MZO。
第三，在合成的最后阶段，中间产物w-MZO将在压力或温度的作用下转变为rs-MZO，同时rs-MZO中Zn和Mg离子的浓度实现平衡。我们也可将这一过程表示为
MgO+ZnO→w-MZO+rs-MZO→rs-MZO （4-1）
因此，通过对压力和温度的有效调节，可实现不同组分MgZnO合金的任意互溶。在材料的制备中目前存在以下两个方面的问题：
1）在MgZnO制备烧结过程中我们发现，烧结后MgZnO会出现开裂现象，如图4−12所示。我们认为这一现象的产生是源于在高温高压下，ZnO和MgO的固溶导致ZnMgO陶瓷内部产生较大的张应力。为此，我们采用二次烧结（再结晶）技术和通过调节合成后MgZnO的降温与降压速度解决了陶瓷在固溶过程中出现沿c轴开裂的现象。(www.xing528.com)
图4-12 高温高压烧结后MgZnO开裂的光学照片
2）在MgZnO陶瓷表面蒸镀电极时发现，由于陶瓷表面较为粗糙，使得蒸镀的电极出现严重的断裂现象，如图4−13所示。为此，我们对陶瓷表面进行了抛光，但遗憾的是，由于陶瓷中MgZnO经二次烧结后，晶粒尺寸较大，致使抛光过程中出现“掉晶”现象，因此无法将表面抛平。拟解决的办法为：在二次烧结之前，将MgZnO进行球磨处理，然后再进行二次烧结，并控制晶粒尺寸的生长。
图4-13 MgZnO蒸镀的电极的光学照片
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