问答1：内存由哪些元件组成？
从外观看，内存主要由电路板、内存芯片、内存引脚（金手指）、散热片等组成，如图2-24所示。
图2-24 内存的外部结构
内存芯片：内存芯片也叫“内存颗粒”，是电路板上的存储装置。本小节“问答2”将详细介绍内存颗粒的内部结构。
电路板：电路板是内存的基板，在PCB板上刻上电路，所有的内存颗粒和电阻等元件都安装在这个电路板上。
内存引脚（金手指）：内存引脚是内存与主板连接的接口，因为内存引脚一般是铜制品，所以俗称“金手指”。
定位卡口：将内存插到主板内存插槽中的时候，通过定位卡口可以快速判断内存的正反，还能避免不同型号的内存误插。
固定卡口：当把内存插在内存插槽上的时候，插槽两边的卡子可以咬合在固定卡口上，从而达到固定内存的目的。
散热片：散热片是给内存颗粒散热用的，一般内存不带散热片。
除了上面介绍的内存结构外，内存上还有一些标签，如图2-25所示。
图2-25 内存上的标签
标签：标注着内存的类型、容量、位宽、频率和序列号等信息。
代理商标签：很多内存上都贴有代理商标签，从这可以看出内存的来路，在保修和退换时有一些作用。
问答2：内存的内部结构是怎样的？
内存的内部结构指的是内存颗粒的内部结构。内存颗粒的生产厂商主要有现代、三星、镁光、奇梦达等。如图2-26所示为内存芯片的内部结构。
图2-26 内存芯片的内部结构
内存颗粒与CPU一样，都依次有序地排列着很多存储装置，不同的是，内存通常使用类似蓄电池的电容（Capacitor），用电容带电状态来表示“1”，用电容放电状态来表示“0”。这样的电容带电量非常小，存储一定量的电荷后，如果置之不理，很快就会失去电荷，所以必须每过一定时间就刷新一次电容。内存就是由无数个这样的电容组成的。
前面介绍了能够存储“0”和“1”的电容，这就是电脑应用中最小的存储单位“位（bit）”。为了能够连续存放一个二进制数字，把连续的几个电容组合在一起，表示为一个“存储单元”（Cell）。一般用8个电容表示一个二进制数，这就是电脑中常用的单位“字节”（Byte）了。
问答3：DDR3内存与DDR4内存有何区别？
大家在购买内存时，会发现既有DDR4内存还有DDR3内存，那么，它们之间有什么区别呢？DDR4属于第四代DDR内存，它与前一代内存DDR3的区别主要有以下几个方面。
1.外形差异
首先，DDR4内存的针脚数增加到了284个，DDR3内存只有240个，由于内存整体长度不变，所以相邻针脚之间的距离从1.00mm减到了0.85mm，而每个针脚本身的宽度为0.60±0.03mm。
另外一个明显的差别是DDR4内存底部的金手指不再是直的，而是呈弯曲状。从左侧数，第35针开始变长，到第47针达到最长，然后从第105针开始缩短，到第117针回到最短。
最后是接口位置也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3内存更加靠近中间，这样做的目的就是防止用户插错内存，历代内存产品升级均如此，如图2-27所示。
图2-27 DDR3内存和DDR4内存的外形差异
2.容量和电压差异(www.xing528.com)
DDR4内存在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品容量的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4内存则完全可以达到64GB，甚至128GB。
而电压方面，DDR4内存将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3内存的1.5V降低至DDR4内存的1.2V，移动版的SO-DIMMDDDR4的电压还会降得更低。
3.性能差异
DDR4内存最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbit/s（256MB/s）的带宽，DDR4-3200则是51.2GB/s，比DDR3-1866高出了70%。
DDR3内存采用多点分支总线连接方式，DDR4内存采用点对点总线。相比之下，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，大大简化了内存模块的设计，更容易达到更高的频率。另外，3DS封装技术不断扩增DDR4内存容量，从而可以很轻松地提升系统内存总量，这样即便每通道只能支持一根内存，保障系统平衡运行也不会有问题。
问答4：什么是双通道、三通道？
1.双通道
双通道内存技术，是为了满足CPU带宽而开发的。当时，英特尔Pentium4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（QuadDataRate，四倍数据速率）技术，其FSB（FrontSide Bus，前端总线）频率是外频的4倍。英特尔Pentium4的FSB频率分别是400MHz、533MHz、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/s、4.2GB/s、6.4GB/s，而DDR266、DDR333、DDR400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/s、2.7GB/s、3.2GB/s。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽，导致内存成为系统的性能瓶颈，如图2-28所示。
图2-28 内存瓶颈
在双通道内存模式下，双通道DDR266、DDR333、DDR400所能提供的内存带宽分别达到4.2GB/s、5.4GB/s、6.4GB/s。在这里可以看到，双通道DDR400内存刚好可以满足800MHzFSBPentium4处理器的带宽需求，所以为了解决这个内存瓶颈问题，增加了一个内存向CPU传送数据的通道，也就是双通道了。
其实，双通道就是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器。双通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补性的智能内存控制器，因此两者能并行工作，并且，这两个内存控制器可以通过CPU分别寻址、读取数据，从而理论上使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍。
双通道中的两个独立、具备互补性的智能内存控制器，能够实现彼此间零等待时间。例如，当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补的“天性”可以让有效等待时间缩减50%，因此双通道技术使内存的带宽翻了一番。如图2-29所示为双通道内存插槽。
图2-29 双通道内存插槽
因此，双通道技术的核心在于芯片组（北桥）可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据，内存可以达到128bit/s的带宽。
双通道内存一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用。此外，有些主板还要在BIOS进行设置，主板说明书上一般都会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，读者可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到或者某些画面屏蔽了主板自检显示信息，导致无法看到这些信息。但是我们可以用一些软件查看，比如CPU- Z。可以查看通道模式信息。如图2-30所示，在“Memory”选项卡中，如果“Channels#”选项为“Dual”，就表示已经实现了双通道。
图2-30 软件CPU-Z检测内存双通道
另外，两条2GB的内存构成双通道的效果会比一条4G的内存效果好。
2.三通道
随着CPU不断地更新，性能在不断地增强，FSB频率也越来越高，三通道技术应运而生。
双通道的出现是由于单通道内存读写成为数据交换的瓶颈，而三通道内存技术，实际上可以看作是双通道内存技术的后续技术发展，也就是说，双通道内存技术已经不能满足CPU的高速发展，三通道内存技术随着Inte lCore i7平台的发布而产生了。Intel之所以能够轻松实现三通道内存技术，与IntelCore i7平台应用的QPI直连总线技术是密切相关的，或者说QPI直连总线技术，是三通道内存技术能够实现的一个重要因素。
与双通道内存技术类似，三通道内存技术主要也是为了提升内存与处理器之间的通信带宽。三通道内存将内存总线位宽扩大到了64bit×3=192bit。若同时采用DDR31600内存，内存总线带宽可达到1600MHz×192bit/8=38.4Gb/s，因此，内存带宽得到了巨大的提升。另外，内存控制器配合三通道内存技术，就可以直接和内存进行数据交换，内存延迟的影响就能够降低到最低的可控范围，这是一个非常重要的改变。
三通道和双通道在内存的应用上有所不同。若想实现三通道，主板内存条数须为3的倍数，不能为2或4。若主板上插了两根内存条，那么该主板系统的运行模式为双通道模式；若主板内存条数为4，主板系统会自动进入单通道模式。此外，由于每个内存模组的容量和速度均相同，因此还需要以三通道的方式将内存正确插入主板。目前，三通道技术内存已经不受单根内存容量的限制了。
若某主板支持三通道，那么该主板至少要有3个内存插槽，而且通常这3个内存插槽会采用同一种颜色。所以，在购买主板时，观察内存插槽的个数和颜色也能对主板有一个简单的认识。
若电脑已经正确插入了3根内存条，那么电脑会自动识别，并运行在三通道模式。此时可以通过软件来检测电脑是否已经运行在三通道模式。在软件CPU-Z的“Memory”选项卡中的“Channels”选项，如果这里显示“Triple”，就表示已经实现了三通道通道，如图2-31所示。
图2-31 用软件CPU-Z检测内存三通道
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