【摘要】：表7.1 GSM、LTE FDD与NB-IoT下行功率谱密度比较①假设NB-IoT NRS发射功率比LTE CRS发射功率高6dB。上行方向，见表7.2，NB-IoT终端最大发射功率较GSM低10dB，但由于NB-IoT最小调度带宽为3.75kHz或15kHz，因此NB-IoT上行最大功率谱密度较GSM高1.2～7.3dB。表7.2 GSM、LTE FDD与NB-IoT上行功率谱密度比较
NB-IoT独立部署模式下，下行发射功率可独立配置，在典型的功率配置下（见表7.1），当NB-IoT基站总发射功率为20W/180kHz（即43dBm/180kHz），GSM基站总发射功率为20W/200kHz（即43dBm/200kHz），LTE基站总发射功率为40W/10MHz（即46dBm/10MHz）时，NB-IoT下行功率谱密度比GSM高0.45dB，比LTE功率谱密度高14dB左右。NB-IoT采用In-band及Guard band部署时，因与LTE共享基站功率，功率谱密度下降，可以通过Power Boosting提升发射功率，此时，NB-IoT的下行功率谱密度比LTE高约6dB，但仍比GSM功率谱密度低约7.5dB。
表7.1 GSM、LTE FDD与NB-IoT下行功率谱密度比较
①假设NB-IoT NRS发射功率比LTE CRS发射功率高6dB。
②LTE FDD系统总带宽为10MHz，但实际工作有效带宽为9MHz，有效带宽两边各有500kHz保护带宽。(www.xing528.com)
上行方向，见表7.2，NB-IoT终端最大发射功率较GSM低10dB，但由于NB-IoT最小调度带宽为3.75kHz或15kHz，因此NB-IoT上行最大功率谱密度较GSM高1.2～7.3dB。
表7.2 GSM、LTE FDD与NB-IoT上行功率谱密度比较
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