首页 理论教育 半导体的发展与肖克利和基尔比

半导体的发展与肖克利和基尔比

时间:2023-07-05 理论教育 版权反馈
【摘要】:肖克利在1948年还构想出用多个压缩后的半导体薄片制造结式晶体管。锗质结晶体中出现的杂质提高了半导体的特性。现代半导体通常是由夹杂少量杂质的硅晶体条制成的。1958年,半导体迎来了又一次发展。一位在美国德州仪器公司工作的电子工程师杰克·基尔比,想到相比于一次制造一个晶体管,不如通过覆盖不同的杂质,制造出多个晶体管,然后将它们放在同一个半导体上。

半导体的发展与肖克利和基尔比

古列尔莫·马可尼做了一项实验,尝试运用多种方式将一股电流转换成无线电波。在这项实验中,他需要一种能检测出来的无线电信号。费迪南德·布劳恩在1874年设计了这个整流器,它能使电流仅朝一个方向流动。这个整流器便是世界上的第一个半导体

整流器有两极,然而发展后的无线电技术需要拥有三极的设备,使得其中两极之间的电流或电压能被适用于第三极的电流或电压控制。第一个这样的三极设备是真空三极管,也被称为阀门。阀门需要消耗大量的能量,会过度发热,并且其金属部分会烧坏,因此阀门最终失败了。

老式阀门在运作前需要提前预热。

时间轴

1874年 布劳恩整流器

1947年 点接触晶体

1948年 声频放大器

1948年 结式晶体管

1958年 集成电路

1959年 二维技术(www.xing528.com)

1947年, 物理学家威廉·肖克利、约翰·巴丁以及沃尔特·布拉顿用锗制造了第一个固体三极装置——晶体管。他们在1948年制造了数个晶体管,并用电线让它们与其他元件相连,做成了一个音频放大器。不像电子管放大器,他们制造的音频放大器在工作之前不需要预热。肖克利在1948年还构想出用多个压缩后的半导体薄片制造结式晶体管。

锗质结晶体中出现的杂质提高了半导体的特性。现代半导体通常是由夹杂少量杂质的硅晶体条制成的。

1958年,半导体迎来了又一次发展。一位在美国德州仪器公司工作的电子工程师杰克·基尔比,想到相比于一次制造一个晶体管,不如通过覆盖不同的杂质,制造出多个晶体管,然后将它们放在同一个半导体上。同时还可以加上其他的元件。

n-型半导体带有自由的电子,p-型半导体带有空穴。

半导体

在一个结式二极管中, 电流只能单向地穿过结点。一个稳定的空穴和电子流也会流向结点,相互中和。正电荷与负电荷相互抵消了,整体上就没有电荷了。结果便是电流能自由地流动。如果将连接调转方向,那么,电池就会引导电子和空穴远离结点,它们便无法走得更近了。

就这样,基尔比发明了集成电路。

集成电路包含一个传 统电路板所具有的所有组件。

免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。

我要反馈